半导体工艺复习重点2.docVIP

投影式曝光技术（Projection exposure technology） 答：投影式曝光是利用投影的方式，将掩模板上图案投影至相距好几厘米的晶片上。 化学机械抛光（CMP） 答：化学机械抛光工艺是在晶片与抛光垫之间加入抛光液，并持续移动要平坦的晶片面摩擦抛光垫。 平衡分凝系数（Equilibrium segregated coefficient） 答：由于晶体是从融体中拉出来的，混合在晶体中（固态）的掺杂浓度通常和在界面处的融体（液体）中的是不同的。此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数。 磷硅玻璃回流（Phosphorus silicon glass） 答：由于低温淀积的磷硅玻璃（掺杂二氧化硅）受热后变得较软易流动，可提供一平滑的表面，所以常作为邻近两金属层间的绝缘层。此工艺称为磷硅玻璃回流。 台阶覆盖（The steps cover） 答：台阶覆盖指的是淀积薄膜的表面几何形貌（拓补图）与半导体表面的各种台阶形状的关系。 分子束外延生长（MBE） 答：分子束外延是在超高真空下一个或多个热原子或热分子束和晶体表面反应的外延工艺。 MESFET技术（名解） 答：金属半导体场效应晶体管 晶体中的点缺陷 答：任何外来的原子合并到晶格中，无论在替代位置还是在间隙位置，晶格中若有原子丢失产生空位，一个主原子位于规则的晶格位置，并邻近一空位时称为弗兰克缺陷都是点缺陷。 退火（anneal） 答：退火是一种金属热处理工艺，指的是奖金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。 非本征扩散（extrinsic diffusion） 答：扩散受外界因素，如杂质离子的电价和浓度等控制的而非本征因素，即结构中本征热缺陷提供的空位浓度远小于杂质空位浓度的扩散，称为非本征扩散。 BiCMOS技术 答：BiCMOS是一种结合CMOS与双极性器件结构在单一集成电路内的技术。 12 、等离子体 答：等离子体是部分或完全电离的气体，包含正离子、负离子与一些未被电离的分子。当电场强度加到足够大时，使气体击穿电离就产生了等离子体。 绝缘层上硅 答：首先利用高能量氧离子注入，在《100》晶向的n型硅衬底上生长一层氧化层。接着，晶片经过高温退火的工艺，使得注入的氧离子与硅原子反应形成氧化层。来自于离子注入的伤害也在高温退火工艺中被修补消除。在这之后，我们可以得到被完全隔离于氧化层上的n型硅薄膜层（称为绝缘层上硅）。 各向异性 答：晶体的各向异性即沿晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同，这就是晶体的各向异性。 低介电常数材料（low dielecyric-constant materials） 答：当器件持续缩小至深亚微米的范围时，需使用多层金属连线结构来减小因寄生电阻与寄生电容引起的RC延迟时间。 金属有机气相淀积（MOCVD） 答：金属有机气相淀积也是一种以热分解反应为基础的气相外延法。 光刻胶特性 答：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨率，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本，比较高的玻璃转换温度。 光刻机的性能参数 答：分辨率，套准精度与产率。 离子阻止本领 答： 制作分立器件与集成电路，通常需要很多不同种类的薄膜，这些薄膜有哪些？ 答：热氧化薄膜，介质，多晶硅，金属薄膜等。 金属的电迁移现象 答：当器件工作时，金属互连线内有一定电流通过，金属离子会沿导体产生质量的输运，其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须（小丘），这就是电迁移现象。 简述生长单晶硅的悬浮区熔工艺 答：一根底部带有耔晶的高纯度多晶棒保持在垂直的方向，并且被旋转。此晶棒被封在内部充满惰性气体（氩）的石英管中。在操作过程中，利用射频加热器使一小区域（约几厘米长）的多晶棒熔融。射频加热器自底部耔晶往上扫过整个多晶棒，由此悬浮熔区（即熔融带）也会扫过整个多晶棒。熔融的硅是由正在熔融和生长的固态硅间的表面张力所支持。当悬浮熔区上移时，在再结晶处（撤退端）长出单晶且依耔晶方向延伸生长。 简述柴可拉斯基法生长单晶硅的过程 答：在晶体生长的过程中，多晶硅被放置在坩埚中，炉管被加热到超过硅的熔点。将一个适当方向的耔晶放置在耔晶夹持器中悬于坩埚上。将耔晶插入融体中，虽然耔晶会有部分熔化，但其余未熔化的耔晶尖端部分将会接触融体表面。接着将耔晶慢慢拉起，在固体-融体界面逐渐冷却而产生一极大的单晶。 24、简述生长砷化镓的布理吉曼技术 答：左区带保持在约610度的温度来维持砷所需的过压状态，而右区带温度正好保持在略高于砷化镓的熔点（1240度）。密封管子以石英为材料，而舟则由石墨做成。在操作时，石墨舟装载多晶砷化镓融体，而砷则