第05章光刻范例.ppt

顶面成像 被曝光的光刻胶 未曝光的光刻胶 UV (a) 正常曝光过程 (d) 最终被显影的图形 O2 等离子体显影 (b) 曝光后烘焙 交联 曝光 曝光的光刻胶 (c) 气相甲硅烷基化作用 Si Si HMDS 主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 作业 课后习题1、2 、3 、4 、5 * 据估计，光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一。 套准精度：硅片上已有的图形与掩膜版上的图形对准精度 * 普通相机景深30cm 普通玻璃，石英玻璃上镀金属铬，要求，透光性好，热膨胀系数小。图形无缺陷 光刻胶对特定的波长有化学反应，对可见光、紫外光。光刻使用的典型的是紫外光。 深紫外光（DUV）指的是波长在300nm以下的光。 * 当VLSI电路需分辨率达2 mm之前，基本上是采用负性光刻胶。 负胶在显影时线条会变粗，使其分辨率不能达到很高。 但在分辨率要求不太高的情况，负胶也有其优点： 对衬底表面粘附性好 抗刻蚀能力强 曝光时间短，产量高 工艺宽容度较高 （显影液稀释度、温度等） 价格较低 （约正胶的三分之一）