第七章纳米电子学.docVIP

第七章 纳米电子学 过去半个多世纪的历史表明，电子器件的发展对人类社会起着巨大的推动作用。电子管、晶体管、大规模集成电路的出现都对人类的进步有显著的影响，特别是计算机出现以后，微电子器件被广泛应用于人类社会各个领域。电子学的未来的发展，将以“更小、更快、更冷”为目标，只有在这三方面都得到同步发展，电子技术才能取得新的重大发展。 美国国防高等技术研究厅（DARPA），不久前提出的超电子学（ultra electronics）研发计划，就是根据“更小、更快、更冷”的发展目标，要求未来的电子器件要比现有的微电子器件的存储密度高5~100倍，速度快10~100倍，功耗则要小于现在器件功耗的2%。最终希望达到“双十二”，即1012位的存储器容量（1Terabit）和每秒1012次的运算速度（1 000亿次/秒）而且廉价节能。要实现这一目标，电子器件的尺寸必将进入纳米技术的尺度范围，即要小于100nm。因此，微电子器件过度到纳米电子器件是21世纪的必然。 微电子技术发展的限制 半个世纪以来，微电子技术领域已经发生了两次重大技术革命，一次是晶体管取代真空电子管，二是集成电路取代传统的导线连接电路。这两次技术革命对人类一计算机和信息技术为基础的新技术的发展起到了巨大的推动作用。特别是超大规模集成电路的出现，导致了现代计算机和通信技术翻天覆地的变化。 集成电路的集成度越高，电路中的晶体管的尺寸就越小。集成电路的制程精度一般用最小线宽来表示。1971年，英特尔的4004芯片，时钟速度为108 kHz，内有晶体管2 300个，制程精度（最小线宽）为10 μm；到1999年，英特尔的Pentium Ⅲ芯片（奔腾 Ⅲ芯片），时钟速度已经高达1 GHz，内有晶体管2 800 万个，制程为0.18 μm。Pentium 4电脑芯片的时钟速度达1.7GHz，制程首次达到了0.13 μm。30年来，计算机芯片的速度和集成度都提高了约13 000倍，制程则从10 μm缩小到0.13 μm（130nm），用于集成电路加工的光刻精度提高了约76倍。按照莫尔定律的发展趋势，到2010年微电子器件的尺寸和集成电路的最小线宽都将小于100 nm,达到现代微电子学光刻技术的极限，现有的光刻技术将无能为力而失败。因为，现行的深紫光光刻技术(deep ultraviolet lithography)深紫光的波长为240nm，它的光刻理论极限是100nm。现行的光刻技术无法加工小于100nm的最小线宽，这是微电子学技术急待突破的技术限制。 芯片微处理器是通过逻辑“门”的开或关来工作的，而“门”的开或关的状态，取决于有无电流通过。要使微处理器中的逻辑门正常工作需要数百个甚至上千个电子的电流，随着芯片集成度和时钟速度的提高，所需要的电子数还会进一步增加。然而，芯片内线宽的减小会导致单位时间内流过逻辑门的电子数大幅度递减少，当电子数减至数十个数量级时，逻辑门在判断“开”或“关”时就会处于不确定状态，使逻辑门无法正常工作。这是电子行为对微电子学的技术限制。 目前，电子器件功耗过大也是微电子学技术发展的又一个主要限制。当今的微电子器件，即使通过芯片的新设计制作方法（多层芯片设计技术及其芯片中采用的铜线连接技术等）和光刻加工技术的改进（超紫外光刻技术），虽然在一定程度上可以提高电路的集成度，但由于目前的微电子器件的工作电流很大，功耗也很大。特别是随着芯片的集成读和时钟速度大幅度提高，电子在电路中流动的速度越来越快，功耗也会呈级数增加，最终导致芯片不能正常工作。同时由于功耗太大芯片会过热，造成芯片寿命缩短，可靠性降低。 总之，目前微电子器件的光刻技术、电子行为和功耗过大是当前微电子技术进一步发展的三大限制。它的突破要依靠纳米电子学技术的发展。 纳米电子技术的主要领域 纳米电子技术是以在纳米电子学理论为基础，开发下一代微电子器件—纳米电子器件的技术总称。它的研究范围主要是三个方面：纳米电子学理论、纳米电子器件和纳米电子材料及其组装技术。 纳米电子学 纳米电子学是纳米电子器件的理论和技术基础。纳米电子学的发展，将基于纳米尺寸显著的物理特性。目前人们已经认识到，其特性除材料固有的特性外，还与维数和尺寸有密切的关系。在纳米物理长度内，出现的主要新效应有：量子相干效应（Quantum interference effect），A-B效应（Aharonov-Bohm effect），即弹性散射不破坏电子相干性，量子霍尔效应（Quantum Hall effect），普适电导涨落（Universal conductance flutuations）特性，库仑阻塞（Coulumb blockade）效应，海森堡不确定效应（Heisenberg uncertainty）等。 在纳米系