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- 2016-11-22 发布于贵州
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4-1 * 共 6 页,第 页 一、 (20分)单项选择题 (本题答案填写在第1页的指定位置,写在本页无效!) 本页写上姓名后,可撕下作答,考试结束后一并交回! 姓名:____________ 1、要形成P型半导体,需要在硅或鍺本征半导体中加入微量_A_____价元素,在P型半导体中,多数载流子是__C_____。 A) 三 B) 五 C)空穴 D)自由电子 2、PN结外加反向电压时___B___,所加的反向电压称为__D____偏置。 A)导通 B)截止 C)正向 D)反向 3、二极管的伏安特性上有一个死区电压。硅管的死区电压的典型值约为____B___,导通时的正向压降约为___D_____。 A)0.1V B)0.5V C) 0.2~0.3V D) 0.6~0.8V 4、稳压二极管工作于___A____击穿区,这种击穿是可逆的,当去掉___B____电压之后,稳压二极管又恢复正常。 A)正向 B)反向 C)同向 D) 逆向 5、晶体三极管工作在放大状态时,发射结处于____A___偏置,集电极处于 _____B___偏置。 A)正向
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