化学水浴法制备ZnS辩析.ppt

化学水浴法（CBD）制备ZnS Outline 一、ZnS简介 1.1 ZnS 特点： 1、Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体 2、带隙宽度为3.2-3.6eV 3、ZnS晶体分为立方晶系和六角晶系。 4、良好的荧光性能 5、良好的透光性能 1.2 ZnS 薄膜应用： 激光二极管、电致发光器件、电光调制器、光学镀膜材料、光电导体及光伏器件等；作为薄膜太阳能电池缓冲层也展示了其良好的应用前景。 1.3 ZnS薄膜的制备方法 溅射法( Sputtering) 原子层沉积法(Atomic layer deposition ,ALD ) 热蒸发法( Thermal evaporation) 分子束外延生长法(Molecular beam epitaxy ,MBE) 电沉积法( Elect rodeposition ,ED) 脉冲激光沉积法( Pulsed laser deposition , PLD ) 化学水浴法( Chemical bath deposition CBD) 四、结论 尽管CBD制备ZnS薄膜有诸多优势，但仍存在诸多的问题： 缺陷: 1、沉积过程ion-by-ion机制难以控制 2、原材料