第8章典型无机的合成范例.ppt

* 点缺陷的表示方法-示例 Cu3Au合金中的缺陷： Cu空位：VCu Au空位：VAu Cu原子占据了Au原子的位置：CuAu Cu或Au原子进入晶格间隙：Cui或Aui * 点缺陷的表示方法-示例 SiC中部分C被N取代产生的取代缺陷： BaF2从含有少量NdF3杂质的熔体中析出，晶体中会有部分Ba2+被Nd3+取代。同时，为了维持晶体的电荷平衡，晶格中会产生Ba2+空位，这两种缺陷表示为： * 缺陷的表示 无缺陷状态：0 晶格结点空位：VM, VX 填隙原子:Ai, Xi 错位原子:在AB中，AB, BA 取代原子:在MX中NM 电子缺陷:e’, h? 带电缺陷: VM’, VX ?, Ai ?, Xi’, AB?, BA ? , NM(n-m) * 本征缺陷 非外来杂质引起的，由晶体构造的某种不完善性带来的缺陷叫本征缺陷。包括： （1）晶体组分偏离化学整比 （2）点阵格位上缺少某些原子 （3）点阵格位间隙处存在间隙原子 （4）一类原子占据了另一类原子的格位 * 点缺陷-肖特基缺陷 晶体中原子由于热涨落而脱离格点位置，迁移到晶体表面上正常格点位置形成新的原子层，会在晶体内部留下空位。特定温度下，晶体内部的空位和表面上的原子处于平衡状态，这种缺陷是肖特基缺陷。 * 肖特基缺陷 空位的数目不是任意的，必须考虑晶体电中性的要求。肖特基缺陷是由满足晶体电中性的正离子空位和负离