PCB内层工艺实战经验总结报告.ppt

内层制程实战经验总结 总结人:李凡2011-5-1 内层制作流程 裁 板 工 序 按照设计规定要求,将基板裁切成工作所需尺寸. 注意事项: 1)避免板边披锋影响品质,裁切后进行磨边,圆角处理,防止刮伤. 2)考虑涨缩影响,裁切板送下制程前需烘烤. 3)裁切注意机械方向一致性. 前 处 理 工 序 目的:去铜面污染,增加铜面粗糙度. 前处理方法: 1.化学处理法:以化学反应造成铜面微蚀 2.机械磨刷法:用灰色尼龙刷,进行磨刷. 化学微蚀法 化学微蚀法只针对内层薄板(8mil以下)使用以避免薄板遭磨刷轮损坏。在这其中化学微蚀法也会搭配磨刷法一起针对外层板进行铜面处理，加强粗化作用，以利获得更加之完美的铜面附著力，提升品质。 化学微蚀法主要是SPS+H2SO4做为药水成份,其微蚀速率控制在40～60μ〞 刷 磨 法(Brush) 利用磨刷轮均匀拋刷铜面使其平整且刷痕一致，并获得均匀粗糙度，如此对油墨才有良好的附著力，而为了了解铜面清洁度及粗化度是否合格，可作水破实验加以验证。(水破至少30秒) 前处理重点 微蚀速率确认(40～60 u) 微蚀速率 1、取二片10CM x10CM之基板走微蚀并烘干以微秤计秤 重得W1 2、同上二片基板再走微蚀并烘干以微秤计秤重得W2 3、(W1-W2)*213=微蚀速率(u) 水破测试(30 sec) 测试前处理后板面清洁程度。板子从水中拿起需保持完整的水膜30 sec 板面无水痕 目视检查上下板面不可有水痕残留 粗糙度 Ra:0.2～0.4um 波峰与波谷平均值 Rz:2～3um 波峰谷最大值-最小值 Wt:4um 最大波峰-最小波谷 涂 布 工 序 涂布前清洁处理 涂布原理 烘干与保养 涂布烘干后至显影前置放 1.油墨粘度量测(150～180秒 3#流速杯测量) 2.烘箱溫度量测设定 3.膜厚量测（膜厚控制在8～12μm） 4.涂布品质确认 曝光工序 曝光机 曝光能量：５～７格，５０～１２０mj/cm2（到达油墨表面的能量）曝光照度：20mWatt(出厂时；随著使用时间增长而衰退，且曝光时间增长，才能达到曝光能量的要求)均匀度：80%测量框架九宫格点，以最低照度除以最高照度乘以100%后需大于80% 曝光能量的測量 量测曝光机曝光效果的方式则是使用21阶能量表(Stouffer 21 Step Tablet)来测试曝光能量是否符合要求，以防止曝光能量太强造成线距变细、曝光能量太弱造成线路缺口、开路的情形发生。首先将21阶能量表置于底片线路图形外的区域，一同与板子曝光及显影，之后观察21阶能量表所显现出的格数为何。油墨所需的曝光能量值皆由厂商提供。 曝光能量的稳定 光学元件的好坏会决定曝光效果。通常曝光灯使用寿命约800小时就必须更新，但这只保证灯源无碍，不代表曝光品质能提升，影响曝光品质最深乃是各项光学元件（内外水套、灯罩等）。因此一但发现曝光能量未变但曝光时间变长了，即表示曝光强度降低，而曝光强度降低代表光学零件因使用时间增长导致老化而使工作效能衰退。若在一间落尘量符合标准的无尘室里，光学元件使用3～5年后就应评估更新以保持最佳的曝光效能，如果持续使用老旧品而不愿更新，而这也表示曝光机的每日曝光量将降低且曝光品质也易受影响。 曝光重点 曝光能量的测试（5～7格） 曝光菲林及板面清结要做到位，减少定点不良 曝光首件检查的力度应高平率 曝光工艺异常排除 显 影 工 序 原理：利用显影液之含弱碱性分子与阻剂的含酸分子,进行酸碱中和反应,阻剂经UV光照射后形成光聚合反应不再与碱性物质发生反应,得以保留在板面上,此即显影 显影液:Na2CO3，K2CO3 显影点:显示油墨显影所需时间（显影点范围　　　　　　３０～５０%） 显影温度:30 ℃左右 显影点 假设显影槽长2m,传输速度为2m/min 油墨的完全显影时间为:20s 药水組成 业界常用的药液是以无水碳酸钠(Na2CO3)加水而成，浓度在重量比0.8%～1.2%之间。较高药液浓度可容许较高油墨负荷量，但较不易清洗干净，且操作范围(Operating Window)较小；反之，过淡的浓度所能承受的油墨负荷较小。因此正确的配药浓度应与油墨厂商研究调配。P.S：碳酸钠的来源为含水化合物，须注意其有效含量，例如Na2CO3.H2O内含约85%的纯Na2CO3 显影温度 喷嘴与滤网 所谓硬水是指含钙、镁等矿物质成分超过150ppm一般自来水或地下水因含有矿物质及污垢（污垢的形成：自来水中的钙、镁与碳酸钠反应形成碳酸钙CaCO3），若长期使用易与油墨结合形成硬垢，造成喷嘴或喷管阻塞，