第二章集成电路设计技术与工具简析.ppt

2.7 金属半导体场效应晶体管MESFET 利用金属与半导体接触形成的肖特基结可以构造MESFET器件。 MESFET器件用GaAs和InP基半导体材料构成。 GaAs基MESFET 工作原理 对于耗尽型MESFET，当栅压VG为零，而源漏电压VD很小时，栅下耗尽区并未延伸到N-GaAs下沿，器件处于导通状态， 因此源漏电流ID很小并随源漏电压线性变化。 当VD增大时，靠近漏区的耗尽区先接触到半绝缘衬底，形成夹断。这时的VD称为饱和电压VDsat 当VG反偏而VD很小时，栅下耗尽区宽度在反偏增加时增宽，VD反偏减小时变窄，VD不变的情况下通过改变VD反偏而改变栅下N-GaAs的耗尽区宽度，也就改变了ID的大小。类似电阻。 2.8 本章小结 集成电路由导体、绝缘体和半导体三大类材料构成，其中半导体材料最为关键。通过简单讲述固体的能带结构的形成和导体、绝缘体以及半导体的能带特点了解了半导体材料的物理特征。通过掺杂，可以得到P型与N型两种导电类型的半导体。两种类型的半导体结合形成PN结，金属与半导体结合形成肖特基结，金属与重掺杂半导体结合形成欧姆结。其中，一个PN结或一个肖特基结加上一到两个欧姆结就构成单向导电的二极管，两个背靠背的PN结加上三个欧姆结就构成具有放大或开关作用的双极型三极管，一个金属-氧化物-半导体结构加上两个欧姆结就构成一个MOS管，一个肖特基结加上两个欧姆结则构