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半导体 技 术1 9 93 .10 ,N os6 掺杂技术及其应用北大学电子与信息工程 系 (保定 70 1 。。)2宋登元1 9 9 2 年 9 月 8 日收到摘要 : 给 出 了 6 掺杂 的 半导体 定义 , 论 述 了这 种掺杂 的 特点、 方法 、 材料 的 能带结构 及影响 a 掺杂分布宽度的 因 素, 同时介 绍了在此技术基础上改进或发展 地一 些新 颖半导 体器件 。引言a 掺杂技术及其应用是近 半年来半导 体精细加工技术的一个前沿发展领域 , 它与原子层 外延巨’〕、 原子层 腐蚀川一起构成了原子级尺度 内半导 体超精细加工技术的主要内容。 大 家知 道 , 通常以一定的掺杂方式掺入半导体材料内的杂质都是由三维空间函数描述 的 , 其扩散层 杂质原子的浓度分布满足高斯函数分布或余误 差函数分布。 由于半导体结构中的杂质浓度分 布形式是 决定 材料光电特性和器件质量的重要 因素之一 , 因而若大幅度地提高器件的工作速、 降低功耗及增加 功能密度, 必须发展新的杂技术以获得满足要求的杂质浓度分布。 所谓 a 掺杂是将掺入 半导体 内的杂质原子仅限制 在一层或几层半导体原子平面内, 由于掺杂 区 的宽度在材料的晶格常数量级内 , 使杂质原子浓度分布的宽度 比 自由载流子的德布罗依波的 波长还窄 , 通常用数学上的 a 函 数来描述这种杂质分布 , 而形 成这 种分布的掺杂技 术被称为 a 掺杂 。掺杂半导体中特殊的杂质浓度分布, 使料具有优于常规掺杂分布所获得的光电性 质 , 并导致了一 批 新型 固态电子学器件的出现 。本文从 a 掺杂基本概念出发 , 给出了 a 掺杂半导体的定义 , 论述了占掺杂的方法、 材料的能带 结构和影响杂质分布变宽 的因素 , 最后介绍了 在此基础上发展起来的一些 新型半导体器 件。6 掺杂半导体的制备方法 、 能带结构和定义 a 掺 杂是在对 半导体基 片的分子束外延过程中, 通过中断生长和同时进行杂质淀积而完 成的 。 典型的生长设 备如图 1a 所示 。 在需要 己 掺杂时, 用挡板关闭 丁 族元素喷射炉 , 但继续 维持 V 族元素分子束流以 提供一个稳定 的电负 性离 子晶体表面 , 同 时开启杂质元 素喷射炉 挡 板 , 使杂质淀积在基 片表面 。 掺杂后恢复正常 的外延生长过程。 掺杂时间通常为几秒到几分钟, 可 由下 式决定一 N 艺D / N · V g中 N , 是所需要的二维掺杂剂浓度 , N 是在 一定温度下从喷射炉获得的三维掺杂剂浓度 , V : 是生长速 率 , 如果忽略 杂质扩 散和其它使杂质分布宽的因素, 而且晶体表面具有原子级平 坦度 , 这样掺入半导体内的杂质被限制在单原 子层或几个原子层内 (图 1h ) , 这种类似似 己函数的 杂质浓度分布可表示为N 工,(Z ) = N Z D a(Z 一Z x) )式中 N )IZ 和乙。 分别代表 Z 轴上掺杂的浓度和 位置。 若假定半导体中的 a 掺杂层 是施主杂质 ,并且完全离化 , 由于扩散作用施 主提供的自由电子向着远离带正 电的电离施主运动。 然而 电 子与施主离子间的静电吸引都使电子向着与扩 散相反 的方向迁 移 , 最终电子的扩散与迁移运 动达到动态平衡 , 建立一个稳定的空间电荷分 布 , 其电势能 为:了e Z N1罗(Z 一 Z D)Z 镇 Z D、r2 CE C Z、 D J一+缨( Z 一 Z·,Z 镇 Z·易看出上式所决定的势阱具有与 Z 。 对的 V 形槽形状。类 a 函数的杂质浓度分布导 致了半导体中 具有特殊的能带结构 , 并且在一定杂质分布宽 度范 围内能带结构是基本不变的 , 据此下面将 给出 己掺杂半导体的较精确定义 。渗用D二RO目?甲以??2 是 4 K 时, a 掺杂层 置于 距表面 60 n m, 掺杂电荷均匀分布为 0 . nZ m , 掺杂浓度为S X 01 21 c m 一 2 时的 n 型 G a A s 导 带图 。同时图中给出了电子的四个本征态 , 通过解自洽 的薛定 愕和泊松方程能获得 势阱中的电子浓度 。 对不_ ..又.几一 ~一?E卜 -石二尸. . . ._一 . ‘一. ~. 性竺 竺巴巴 - 巴巴 竺 叫. . 曰. . . . , . .‘吧匕 竺u一习一翻E闯理(A国??一’-一-一一{}一一 一1~.肠{00 200 400 60 80101厚度( 拜)4 K 时 , 占掺杂浓度为 S X lo ‘Ze m 一 2 时的 n 型 G a A s带图 ( E 。、 E l 、 E Z 、 E 3 为电子的四 个本特征 )同杂质分布宽度 ( 0 . 0 2 、 0 . 2 和 I n m ) 的子 能带结构