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第4章 常用半导体器件与基本放大电路 4.1 半导体二极管 3. N型半导体和 P 型半导体 3. N型半导体和 P 型半导体 4. PN结的形成 5. PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 4.1.2 半导体二极管极其简单应用 2. 伏安特性 3. 主要参数 4. 二极管的应用 4.1.3 特殊二极管 (3) 主要参数 4.2 晶体三极管 4.3 基本放大电路 （1） 实现放大的条件 2. 放大电路的静态分析 直流通路和交流通路 （1） 用估算法确定静态值 （2） 用图解法确定静态值 2) 由输出特性曲线确定ICQ和UCEQ 3) 静态工作点与非线性失真的关系 a. 饱和失真 b. 截止失真 结论： 结论： 结论： （2）微变等效电路法 4.3.2 静态工作点的稳定 1. 温度变化对静态工作点的影响 2. 稳定静态工作点的电路 （1）稳定Q点的原理 （1） 稳定Q点的原理 4.3.3 共集电极放大电路及其特点 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 应用举例?镍镉电池恒流充电电路 4.3.4 放大电路的级间耦合与差动放大电路 1. 阻容耦合放大电路 2. 直接耦合放大电路 3. 差动放大电路 1）零点漂移的抑制 2) 有信号输入时的工作情况 2) 有信号输入时的工作情况 ③差动信号输入 4.4 功率放大电路 4.4.1 功率放大电路的概述 4.4.2 互补对称放大电路 3. 单电源OTL互补对称功率放大电路 4.4.3 集成功率放大器 2. “傻瓜”型集成功率放大电路 4.5 绝缘栅型场效应管 4.5.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 傻瓜1006 1 2 3 4 5 470μF 10μF 12V 8Ω RP 50kΩ 1006组成功率放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 3. 输出电阻小 射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。 rbe RB RL E B C + - + - + - RS RE 1. 电压放大倍数小于1，约等于1; 2. 输入电阻高； 3. 输出电阻低； 4. 输出与输入同相。 2. 射极输出器的应用 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。 2. 因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。 3. 利用 ri 大、 ro小以及 Au ?1 的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。 原理: 三极管工作 于恒流状态， 基极电位恒 为6V；调整 转换开关Ｓ 使充电电流 限制在50mA 和100mA; 性能: 正常充电时间 7小时左右;充 电电流为恒定 值；充电电流 大小由电池额定容量确定。 LED 电池 R3 u2 Tr D ~ 220V R2 S 50mA 100mA DZ 6V 6V + R5 R4 R1 C + – T LED发光二极 管承受正向电 压导通发光, 发光强度与通 过的电流大小 有关。LED与R5串联后，接于R4 两端，R4两端电压的大小，反映充电电流的大小，LED发光的亮、暗指示S的位置, R5是LED的限流电阻,使通过LED的电流限制在一定数值。 LED 电池 R3 u2 Tr D ~ 220V R2 S 50mA 100mA DZ 6V 6V + R5 R4 R1 C + – T 耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。 常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 动态: 传送信号 减少压降损失 静态：保证各级有合适的Q点 波形不失真 第二级 推动级 输入级 输出级 输入 输出 多级放大电路的框图 对耦合电路的要求 第一级 第二级 负载 信号源 两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接 RB1 RC1 C1 C2 RB2 CE1 RE1 + + + + + – RS + – RC2 C3 CE2 RE2