RF功率对PECVD制备SiN薄膜性能的影响.docVIP

RF功率对PECVD制备SiN薄膜性能的影响 　　摘要：为了得到Si3N4薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的（100）面上制备了Si3N4薄膜，反应气体是SIH4和氨气的混合气。研究了射频源的输入功率对Si3N4薄膜性能的影响。结果显示：虽然Si3N4薄膜制备功率不一样，但其表面的光滑性和致密性没有差异。除此之外，薄膜表面的粗糙度随功率的增大而减小；薄膜的沉积速率也随功率的增大呈上升趋势；薄膜的腐蚀速率随功率的增大而减少；薄膜的均匀性也随着LF功率的增加而减小。 　　关键词：RF功率；PECVD；SiN薄膜；性能 　　中图分类号：O657 文献标识码：A 文章编号：1674-7712 （2012） 18-0006-01 　　近年来类Si3N4薄膜由于其具有高硬度、耐腐蚀和高温抗氧化性等特点引起了科学界的极大兴趣，被广泛应用于制造轴承、汽轮机叶片、机械密封环已经永久性磨具等机械构件之中。Si3N4薄膜的常用制备方法有物理气相淀积（PVD）法，化学气相淀积（CVD）法和离子束增强淀积（IBED）法。与PVD和IBED相比，CVD法具有很多优点，包括成膜速率快、薄膜纯度高、残余应力小、致密性好等特点。因此在Si3N4薄膜的制备过程中我们更倾向于CVD法。本文尝试利用RF-PECVD方法制备Si3N4薄膜，并研究了射频输入功率对Si3N4薄膜的表面形貌、硬度和弹性模量等性能的影响。 　　一、实验 　　（一）样品制备。实验中采用的设备为CC1，射频源、真空室、放电系统、真空泵和流量控制系统是构成CC1的主要部分。工艺配方如表1所示， 　　既不冷却衬底，也不对其加热，是Si3N4薄膜沉积的一大特色。在Si3N4薄膜沉积过程中，我们设定的主要参数如下：真空室的工作压强为20Pa，沉积时间为95s，在其他参数不变的情况下，改变射频源分别为320（40%）、360（45%）、400（50%）、440（55%）、480（60%）W制备1组样品。 　　（二）样品测试。薄膜的厚度主要使用椭偏仪来测量；薄膜的表面形貌和粗糙度主要使用Nano ScopeⅢa型原子力显微镜（AFM）来测量；薄膜的Raman光谱分析主要依赖于JY2HR800型的Raman光谱仪（激光波长为532nm，能量为5mW，光谱测量范围为1000～2000cm-1，步长为2cm-1），通过分析仪对所制备的Si3N4进行波长和能量的分析；薄膜的结构和组分主要通过X射线光电子能谱来测定；薄膜的硬度和杨氏模量依赖于纳米压痕仪来测量。 　　二、结果与讨论 　　（一）LF功率同Si3N4薄膜的沉积速率的关系。薄膜的沉积速率随功率的增大而增大。两电极间的自偏压随着输入功率的变化而变化，实验显示，当输入功率从320W增加到480W时，两电极间的自偏压从150V几乎线性地增加到了320V。随着自偏压增大，等离子体的能量会不断增加，从而使得反应气体的离化程度不断提高，最终提高薄膜的沉积速率、加速了薄膜的形成。另外，随着离子能量的增加，薄膜表面的速度会跟着增大，使得离子对薄膜表面的轰击频率不断增大，从而达到了对表面刻蚀的效果，有利于降低薄膜的表面粗糙度，使薄膜很好地粘着在衬底上。总的来说，所制备的Si3N4薄膜的表面非常光滑。 　　（二）LF功率同Si3N4薄膜的均匀性关系。薄膜的均匀性是指薄膜内部各个部分的厚度差，薄膜由于其厚度本来就很小，因此厚度均匀性的管控一直是个难点。Si3N4薄膜以往的MOCVD法对其厚度的均匀性管控效果较差。但是PECVD由于其特殊的成膜工艺，使得其在制成薄膜的均匀性上取得了较大的突破。 　　从上图表可以明确看出，随着LF功率的增加，片内均匀性逐渐减少，其主要原因如下：在低功率下，反应气体电离度低，等离子体中存在直径在十到几十纳米的微粒参与了薄膜的生长，而在高功率下，电离度提高，等离子体中的较大微粒减少甚至消失，薄膜表面片内的均匀性变少。 　　（三）LF功率同Si3N4薄膜的腐蚀速率关系。薄膜的腐蚀速率是指薄膜在外界环境的影响下，在其他作用物质的作用下，使其表面发生了化学反应，薄膜由于其表面的稀薄，因此很容易受到外界环境的影响，发生腐蚀效应。PECVD法制备的Si3N4薄膜能够有效的降低腐蚀速率。 　　三、结语 　　本文中采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法制备了Si3N4薄膜，并研究了射频源的输入功率对Si3N4薄膜性能的影响。结果显示：虽然Si3N4薄膜制备功率不一样，但其表面的光滑性和致密性没有差异。除此之外，薄膜表面的粗糙度随功率的增大而减小；薄膜的沉积速率也随功率的增大呈上升趋势；薄膜的腐蚀速率随功率的增大而减少；薄膜的均匀性也随着LF功率的增加而减小。 　　参考文献： 　　[1]解占壹.