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《IC设计实践》 报 告 姓名： 学号： 院系： 专业： 年 月 日  目 录 一、设计目标 1 二、设计平台 1 三、原理图设计 1 1、电路结构与工作原理 1 2、手工计算电路参数 1 3、仿真、分析与参数调整 2 4、电路参数仿真结果汇总 5 四、版图设计 6 1、版图层次及常用设计规则 6 2、DRC验证与版图修改 7 3、LVS验证与版图修改 7 五、寄生参数提取与后仿真 7 六、小结 7 一、设计目标 通过使用mentor软件设计一个两级运算放大器，并且使其满足以下指标，如表1所示。 表1 二、设计平台 mentor软件及工艺库 三、原理图设计 1、电路结构与工作原理 电路结构如图1所示。 图1 二级运放电路结构 该电路的组成与工作原理： 2、手工计算电路参数 本次实践使用的工艺是华润上华工艺库0.um P衬底N阱双多晶硅三层金属混合信号工艺。 本次设计要求沟道最小尺寸为 um，因此在文件中查找nmos器件模型名称为： ，该模型主要参数：最小沟道长LMIN＝ ， 最小宽WMIN＝ ，栅氧厚度TOX＝ ，阈值电压VTH0＝ ，迁移率系数U0＝ ； pmos器件模型名称为： ，主要参数：最小沟道长LMIN＝ ， 最小宽WMIN＝ ，栅氧厚度TOX＝ ，阈值电压VTH0＝ ，迁移率系数U0＝ ； 模型等级LEVEL＝。 计算 绘制电路图生成符号如图所示。 图 3、仿真、分析与参数调整 （1）交流仿真—幅频与相频特性 进行交流仿真之前应该设置仿真环境，Vp接；Vn接其中交流信号频率设为。仿真结束后，先查看*.chi文件，确认管子是否都处于饱和区，若处于非饱和区，应该先调整管子尺寸，直到所有管子都处于饱和区再查看波形。 实验过程中，通过调整管子尺寸，使其满足Av60dB, GBMHz, 相位裕度0度，调整过程如表所示。 调整记录 (V) W1,2 L1,2 W3,4 L3,4 W6 L6 W7 L7 Av(dB) GB(MHz) 相位 1 2 3 4 5 表2 电路图如图所示，其对应仿真结果如图所示。Av=？？dB, GB=？？MHz, 相位裕度度 图 图 （2）瞬态仿真—压摆率SR 压摆率SR设置仿真环境如下：Vp接；Vn与Vout之间接；瞬态仿真，Vout波形从10%到90%计算SR= V/us 。 电路图如图所示，其对应仿真结果如图所示。 图 图 （3）直流扫描—输入共模范围ICMR 输入共模范围ICMR设置仿真环境如下：Vp接；Vn接，查看Vout和M5漏源电流I5波形，I5进入饱和区为起点，Vout不再随Vin变化为终点，得ICMR= V。