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纳米碳化硅的制备方法及研究进展 郝斌 张萌 （唐山学院 环境与化学工程系 河北 唐山 063000） 摘要：纳米SiC材料是多种性能非常优越的材料，本文对纳米碳化硅的研究进展做了综述，并介绍了几种常用的制备纳米碳化硅粉体、碳化硅纳米线的方法，同时就其应用及大规模生产方面简述了其各自的特点，并提出了一些需要注意的问题。 关键词：纳米碳化硅；制备方法；研究进展 1 引言 纳米材料的出现是21世纪材料科学发展的重要标志，它所表现出的强大的科学生命力不仅是因为揭示出科学的深刻物理含义，而更重要的是它所发现的新结构、新现象、新效应源源不断地被用来开发具有新结构、新性能的固体器件，对通讯、微电子等高新技术产生极其深远的影响。纳米碳化硅具有良好的导热性、化学稳定性、抗热震性等优点，而且能够在高温、强腐蚀性等苛刻条件下使用，使得它成为化学反应中催化剂载体的理想材料，并且已经被成功应用于一些重要的化学反应中，如：低温脱硫、催化氧化、汽车尾气的净化、甲烷偶联、直链烷烃的异构化等[1]。所以，对纳米碳化硅材料制备方法的研究具有十分重要的意义。 2 纳米SiC的研究进展 碳化硅（SiC）是第三代半导体的核心材料之一，与硅、砷化镓相比，它具有许多优点，如宽带隙、高电子饱和高击穿场强、热导率、化学稳定