刃型位錯芯周围变形场的实验测定.docVIP

附件2 论文中英文摘要 作者姓名：董照实 论文题目：刃型位错芯周围变形场的实验测定 作者简介：董照实，男，1983年6月出生，2007年9月师从于内蒙古工业大学赵春旺教授，于2010年1月获硕士学位。 中 文 摘 要 在固体材料的塑性变形理论中，位错芯区域占有非常重要的地位，因为位错芯部位的高应力常导致材料性能的改变甚至材料的失效。关于位错的研究一直是固体物理学和材料科学的经典课题，目前存在着多种位错理论模型，如基于弹性理论的模型和考虑了位错芯区域原子间相互作用的离散模型等。传统上对位错变形场的描述是基于经典的线弹性理论，但由经典的线弹性理论计算出来的变形场在位错芯区域会出现奇点，使得线弹性理论在位错芯部位失效。因此促使人们发展了各种改进模型来消除奇点，如梯度弹性理论位错模型、弹塑性理论模型和Peierls-Nabarro位错模型。Peierls-Nabarro位错模型考虑了位错芯区域的原子间相互作用，在远场能与弹性理论的结果相容。尽管有许多关于Peierls-Nabarro模型使用局限性及准确性方面的争议，但Peierls-Nabarro理论的基本概念和处理方法在位错的研究中至今还占有非常重要的地位。虽然目前已有很多不同的位错理论模型，但纳米尺度上位错变形场的实验测量结果及对各种位错模型的验证却非常缺乏。所以急需纳米尺度上位错变形场的实验测量结果。 本文使用高分辨透射电子显微镜分别拍摄到了单晶硅和单晶金中刃型位错芯的图像。采用极值点定位方法，在纳米尺度上测定了单晶硅位错的应变场，并给出了位错芯周围几纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。从应变分布图中可以看出位错芯周围是应变集中区域，位错芯前方是拉应变，位错芯后方是压应变。将单晶硅位错应变场的测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比，对比结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确地描述单晶硅位错的应变场。采用几何相位分析方法测定了单晶金位错周围的应变场，并给出了应变分布图。将实验应变场与梯度弹性理论位错模型、弹塑性理论位错模型和Peierls-Nabarro位错模型进行了对比。对比结果显示在弹塑性理论模型中与位错芯相关的常量参数e0的最佳取值为0.25，优于0.399。同时证明了采用Peierls-Nabarro位错模型将获得最满意的理论预测。 关键词：位错；应变；极值点定位；几何相位分析；高分辨透射电子显微镜 Experimental measurement of deformation field around edge dislocation core Dong zhao shi ABSTRACT Dislocation core is an important region in the theory of metallic plasticity because high stress in this region often result in performance change and material failure. Research on dislocation core is a classic topic in solid state physics and materials science. Now, there are many dislocation models, such as models base on the elastic theory, discrete models which consider mutual effect of atoms in the dislocation core region, etc. The traditional description of an elastic field produced by dislocations is based on the classical theory of linear elasticity. However, the classical dislocation theory breaks down in the dislocation core region. The elastic fields calculated within the theory of elasticity contain singularities at the centre of each dislocation, leading to the development of modified dislocation models that propose to eliminate these singularities