基于GaN的功率技術引发电子转换革命.doc

作者: Tim McDonald 上网日期: 2010年04月13日关键字： GaN? 功率技术? 电子转换? MOSFET? 功率MOSFET出现之前，双极性晶体管在功率电子领域一直占据主导地位，而且线性供电支配着整个电源世界。但是，30年前第一批商用化硅MOSFET的推出(包括IR已经注册商标的HEXFET)，使功率电子领域发生了翻天覆地的变化。通过使开关电源更加小巧、轻便而且更有效率，功率MOSFET使市场快速接受开关电源。从那时起，MOSFET就成为很多应用的必选功率器件。几十年过去了，MOSFET也在不断演变。图1展示了由平面HEXFET到TrenchFET和超结FET，硅MOSFET的性能指数所发生的巨大改善，而这些改善也使其能够适用于不同的应用。 图1：由HEXFET到TrenchFET及SJ FET，硅功率MOSFET已经经过了30年的演变，且在电源市场广泛应用。然而，硅功率MOSFET现在已经接近成熟期。 然而最近，MOSFET开始进入到性能瓶颈期。正如图1所示，硅功率晶体管已经接近成熟。就算工程人员努力希望硅功率FET可以再进一步，也只会事倍功半。 为了满足市场对功率MOSFET不断增长的需求，IR开发了GaNpowIR这种革命性的基于GaN的功率器件技术平台。这个平台保证能够比现在最先进的硅MOSFET带来高十倍的FOM，而且它对很多不同应用来说都有极大的潜能。如同30多年前的硅功率MOSFET一样，IR专有的硅基GaN外延工艺和器件制造技术预示该领域即将出现一个高频率、高密度且符合成本效益的功率转换解决方案新时代。 GaNpowIR技术：一个商用化平台 如果想在功率应用上使用GaN技术，必须先选择一种基片来形成GaN层。不论是块状GaN、SiC或者是蓝宝石晶圆，它们在成本、供应量及尺寸方面都有缺点。虽然从前硅是最吸引的低成本基片，但使用也有困难，例如会形成瑕疵及变形。因为基片与外延膜之间在晶格常数和热膨胀系数方面本质上不匹配，所以要完成可靠且有高品质的硅基片GaN异质外延工艺程序一向都很困难。工程人员非常努力地寻找能够解决这些问题的控制程序和方法，最终开发了一种拥有低不良率，高一致性及器件可靠性的外延膜。IR的GaNpowIR平台就在低成本的150mm直径硅晶圆上沉积大量的GaN物料。 GaN技术商用化的另一个障碍，是与晶圆制程相关的制造成本。早期的GaN制造都涉及昂贵的程序，例如金沉积，又或者是那些不能进行自动化的运作程序。反之，GaNpowIR原本就是为在标准CMOS生产线上制造而设计，所以除了能够降低成本，还确保了制程可以配合量产。 GaNpowIR一方面通过针对商用的量产来确保更卓越的性价比，另一方面也可以满足针对器件品质和耐用性的行业标准。为了勾划出其故障模式，基于GaN的功率器件在不断进行多种本质可靠性测试。而同时进行的传统的产品品质认可测试，则可以确保IR的GaNpowIR器件能够在其预定的工作寿命期间可靠运作。 首个上市的型号将是采用30V额定值的GaN晶体管，集成封装DC-DC功率级，适用于由典型12V降压到1V或以下的应用。拥有更高电压额定值的器件将会在以后陆续推出。 图2：硅基片GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的早期横切面 如图2所示，基本的硅基片GaN功率器件是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，由于优质GaN表面上的A1GaN薄层的密切活动，自发而成的二维电子气(2DEG)。因为这种器件是用备有高电子迁移率通道的HEMT进行建构，无需外施电压也能够导通，所以GaN HEMT通常都在导通状态。 硅基片GaN的好处 由于集成了高传导电子密度、高电子迁移率和更高带隙，所以基于GaN的功率HEMT可在指定的反向耐压下大幅降低器件的通态电阻RDS(on)。图3便显示了在不同额定电压下所计算出来的Si、SiC和GaN物理极限曲线。 图3：把指定的通态电阻FOM与反向耐压额定值制成图表，计算出来的Si、SiC和GaN的物理极限显示了GaN以数量级计改进潜能。今天的GaN FET其性能已经超越硅器件，同时随着GaN FET进一步发展，两者的距离将会愈来愈远。 大家可以看到GaN的通态电阻比Si和SiC都要小十倍以上。除了超结FET、IGBT这些为较低FOM而牺牲了开关性能及工序复杂性(成本)的器件之外，硅MOSFET在历经30年发展之后，可以说已经接近或来到了它的物理极限。近来，基于SiC的功率FET的性能数据已经在文献上公开。与硅相比，它们看起来能够提供更好的通态电阻，不过仍有改善的空间。基于GaN的FET已发布的性能表现同样比硅好，而且这种物料距离其材料极限还很远，未来可以有很大的进步。假如生产成本够低，极具吸引力的性价比将驱使市场用基于G