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半导体物理基础 4 晶体结构 Crystal structure 5 能带结构 第二章 平衡载流子的统计分布 2.1 本征半导体和掺杂半导体 （4.4.3） 1 .本征半导体（intrinsic semiconductor） 2.3 Concentration and EF Calculations 例题 Chapter 3 Recombination-Generation  Processes（复合-产生过程） 3.1 非平衡载流子的产生与复合（ noneguilibrium carriers G-R ） 例题1 Chapter 4 Carrier Transport (载流子输运) 2 迁移率（Mobility） 例题 4.2 强电场下的效应(Hight-Field Effects) (3)热击穿 6. p-n结中的隧道效应 7. p-n结的光生伏特效应 4.2 金-半接触 1. 能带图 2. 整流特性 3.肖特基势垒二极管 (2)与p-n结二极管的比较 4.欧姆接触 （1）.表面态对接触势垒的影响 （2）欧姆接触的实现 4.3 半导体表面理论 一. 多子堆积状态(VG0) 二.多子耗尽状态(VG0) 三. 反型状态(VG0)