太陽能电池CuInS2陶瓷的制备及其结构性能表征.docVIP

本文由醉灬忘歌贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 本 科 毕 业 论 文 （设 计） 题 姓 目 名 CuInS2 陶瓷的制备及其结构、性能表征 陶瓷的制备及其结构、 备及其结构 学 号专业年级 职 称 带格式的: 字体: 非加粗 格式的 指导教师 2010 年 5 月 10 日 带格式的: 字体: 加粗 格式的 带格式的: 字体: 加粗 格式的 带格式的: 字体: 加粗 格式的 带格式的: 两端对齐, 缩进: 首 格式的 行缩进: 9.5 字符 I 目 录 绪论 …… 111 1 太阳能电池概况及选题背景和研究内容 …… 111 1.1 太阳能电池工作原理 …… 111 1.2 太阳能电池优点 …… 2 1.3 太阳能电池的发展 …… 2 1.4 CuInS2 薄膜太阳能电池 …… 333 1.4.1 CuInS2 的基本性质 …… 333 1.4.2 CuInS2 电池的研究历程 …… 555 1.4.3 CuInS2 薄膜太阳能电池产业化现状 …… 555 1.4.4 CuInS2 薄膜太阳能电池今后的展望 …… 666 1.5 选题背景和研究内容 …… 777 1.5.1 选题背景 …… 777 1.5.2 研究内容 …… 888 2 CuInS2 陶瓷靶材制备工艺 …… 888 2.1 主要原料 …… 888 2.2 主要工艺流程 …… 888 2.3 制备工艺 …… 999 2.3.1 称料 …… 999 2.3.2 精磨 …… 999 2.3.3 真空干燥 …… 999 2.3.4 压片成型 …… 999 2.3.5 真空烧结 …… 999 3 实验结果与分析 …… 101010 3.1 制备工艺参数 …… 101010 3.1.1 粘合剂用量 …… 101010 3.1.2 成型压力 …… 101010 3.1.3 烧结气氛 …… 101010 3.1.4 烧结温度 …… 101010 3.1.5 保温时间 …… 111111 3.2 收缩率计算 …… 111111 3.3 XRD 图谱分析 …… 111111 3.4 陶瓷电阻率 …… 131313 结论 …… 131313 参考文献 …… 141414 致谢 …… 151515 II CuInS2 陶瓷的制备及其结构、性能表征 摘要 CuInS2 作为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元化合物半导体，由于其具有高的理论转换效率、光吸收系数、禁带 宽度与太阳能光谱匹配性极好及热稳定性好等优点，已经引起人们的广泛关注，被看作是很有发展 前景的太阳能电池光吸收材料。本文采用传统的固相烧结法，制备 CuInS2 陶瓷靶材。确定出具有黄 铜矿结构的 CuInS2 陶瓷靶材制备过程中最佳的粘合剂用量、成型压力、烧结气氛、烧结温度以及保 温时间。并在此基本上探索了烧结温度和保温时间对 CuInS2 陶瓷结构、性能的影响。由实验结果可 以看到， CuInS2 陶瓷靶材的最佳烧结温度为 960℃， 最佳保温时间为 2h。 在此条件下制备出的 CuInS2 陶瓷具有黄铜矿结构。 【关键词】太阳能电池 CuInS2 陶瓷 固相法 结构 性能 III Preparation of CuInS2 Ceramic and Characterization of its Structure and Property Abstract As a Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ ternary semiconductor compound, copper indium disulfide (CuInS2), with its high theoretical conversion efficiency, high absorption, well match with the solar radiation, good thermal stability and other advantages, has emerged as a promising absorber material for solar cells. CuInS2 ceramic targets were prepared by solid state reaction. The optimal amount of adhesives, molding pressure, sintering atmosphere, sintering temperature and holding time were investigated dur