模电-2012期中考试试卷+答案.docVIP

物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试 《模拟电子电路》试题 年级 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分 填空题(9小题，每空1分，共28分) 1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic__变大_____，发射结压降 变小 ，共射电流放大倍数___变大______。 2. PN结正偏时 导通 ，反偏时 截止 ，所以PN结具有 单向 导电性。 3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于 空穴 ，二极管的最主要特性是 单向导电性 。 4. NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。 5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ 。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 66 dB。 R0 //RL / R0 =3/4 解得R0=4kΩ 6. 在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。 7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。 8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区： 饱和区 、 截止区 和 放大区 。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在 放大 区内。当三极管的静态工作点过分靠近 截止 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近 饱和 区时容易产生饱和失真。 9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是 V1截止，V2导通 (导通还是截止)，UAO= -6 V。 二、判断题（8小题，每题1分，共8分） 1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 ( 对 ) 2. 半导体中的空穴带正电。（ 对 ） 3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ 错 ） 4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ 错 ） 5. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ 对 ） 6. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ 错 ）。 7. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ 错 ） 8. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ 错 ） 三、选择题（10小题，每空2分，共30分） 1. N型半导体主要是依靠（ A ）导电。 A、电子 B、空穴 C、少数载流子 D、原子 2. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 3. 在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（ B ），既能放大电流，又能放大电压的电路是 （ C ）。 A、共基放大电路 B、共集放大电路 C、共射放大电路 4. 判断下图各电路能否组成低频放大电路（ B ）。 A、不能，能 B、不能，不能 C、能，不能 D、能，能 5. 两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（ B ）。 A、β B、β2 C、2β D、1+β 6. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ）它的稳压值Uz，才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 7. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 8. 三极管的反向电流ICBO是由（ B ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 9. 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ A ）。 A、强 B