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用电沉积的方法在乙二胺四乙酸溶液中 制成的SnS薄膜的结构和性能 作者：Shuying Chenga,b,Yingjie Hea,Guonan Chena 作者单位：a中国教育部重点实验室分析检测食物安全（福州大学）技术部与化学系 b中国清华大学电子科学与应用物理系 摘要： 在含有硫酸锡乙二胺四乙酸和硫代硫钠的溶液中用阴极恒电流法在ITO（氧化铟锡）基质电沉积SnS薄膜。用循环伏亚沉积法与共沉积法，大致可获得0.70v电压。（饱和甘汞电极）对在E=-0.95到-1.00v电压下获得到化学计量SnS薄膜用X射线荧光光谱仪进行分析共沉积薄膜复合材料。用X射线对E=-1.00v的电子显微镜进行性能分析，反射谱测量。用多晶SnS和正交晶细化合物（共Sn与S成分比约1.0）。其薄膜晶粒细小薄膜在基质吸收变得吸收的能量大于4x10-4/cm,有接跃进大约在1.00-1.43ev. 关键词：循环伏安法；乙二胺四乙酸；电沉积；SnS薄膜 引言 近年来锡的硫化物（SnS）作为一种新型的“减震器”材料在异质结构的太阳能电池制造中吸引了更多的关注。其原因可以解释如下：（1）SnS是具有良好的光电性能。（2）自然界有丰富的锡和硫而且都无毒。（3）有符合太阳辐射的直接带跃进和间带接跃进分别为1.2-1.5ev和1.0-1.10ev.（4）理论上用SnS薄膜制造的太阳能电池的转化率可达到25%. SnS薄膜