硅光電池特性研究.docVIP

天津工业大学 大学物理实验室 实验指导书 PAGE 1 MACROBUTTON MTEditEquationSection2 SEQ MTEqn \r \h \* MERGEFORMAT SEQ MTSec \r 1 \h \* MERGEFORMAT SEQ MTChap \r 1 \h \* MERGEFORMAT 硅光电池特性研究 【实验目的】 掌握PN结形成原理及其工作原理； 了解LED发光二极管的驱动电流和输出功率的关系； 掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。 【实验原理】 1. 半导体PN结原理 目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。 (a) 零偏 (b) 反偏 (c) 正偏 图1. 半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区 图1是半导体PN结在零偏、正偏、反偏下的耗尽区。当P型和N型半导体材料结合时，即没有外加电压的零偏时（图1a），由于P型材料多数载流子为空穴（带正电荷，Positive charge），而N型材料多数载流子为电子（带负电荷，Negative charge），结果各自的多数载流子向对方扩散，扩散的结果使得电子与空穴在结合区复合，则两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒（对于硅，约为0.7 V），由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行。当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN结反偏时（图1b），外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强，更加不利于多数载流子的扩散运动，但有利于由于温度效应被激发的少数载流子的漂移运动，导致极小的反向电流。若干反向电压足够大，则该反向电流将达到一个饱和电流IS(1 μA)；当PN结正偏时（图1c），外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱。当外加电压大于开启电压（对于硅，约为0.5 V），势垒将被消除，多数载流子的扩散运动将持续进行，形成P→N方向的正向电流I，这就是PN结的单向导电性。 2. 发光二极管LED工作原理 当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时，空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。发光波长λP可由下式确定： （1） 式中的h为普朗克常数，c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度，因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25~40nm左右，随半导体材料的不同而有差别。发光二极管输出光功率P与驱动电流IL的关系由下式决定： （2） 式中η为发光效率，Ep是光子能量，e是电荷常数。 输出光功率与驱动电流呈线性关系，当电流较大时由于PN结不能及时散热，输出光功率可能会趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管LED作为实验用光源，采用的发光二极管驱动和调制电路如图2所示，其中的信号调制采用光强度调制的方法， 图2. 发送光的设定、驱动和调制电路框图 图3. LED的正弦信号调制原理 发送光强度调节器用来调节流过LED的静态驱动电流，从而改变发光二极管的发射光功率。设定的静态驱动电流IL调节范围为0~20 mA，对应面板上的光发送强度驱动显示值VE为0~2000 mV（VE＝100IL，对应IL时，小数点在倒数第二位之前，单位为mA，即XX.XX mA）。正弦调制信号(频率f=1～1000 KHz)经电容、电阻网络及运放跟随隔离后耦合到放大环节，与发光二极管静态驱动电流迭加后使发光二极管发送随正弦波调制信号变化的光信号，如图3所示，变化的光信号可用于测定光电池的频率响应特性。 3. 硅光电池SPC(Silicon Photocell)的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管（Photodiode），它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。 当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它的结合面耗尽区存在一内电场。当有光照时，入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子-空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，形成一个正向光伏电压VP，可用作光电池SPC