半导体薄膜技术与物理第三章.ppt

第三章 化学气相沉积 我们认为有可能 SiCl4?直接迁移表面?吸附?SiCl4+2H2?Si+4HCl 发生不均匀的表面反应而形成Si，外延生长。 有的书： SiCl2?表面迁移?吸附?Si+HCl 发生不均匀的表面反应而形成Si，外延生长，机制尚未完全弄清楚。 图3-12 由射频加热卧式反应器所得到的生长速率随SiH2Cl2输入浓度变化的关系曲线：A：800℃，B：900℃，C：1000℃ 3.6 成核 成核机制对于外延来说很重要。 不同成膜技术有不同的成膜机制。 蒸发、溅射：岛状成膜机制。 外延（CVD，MBE），却不是。 CVD： （1）气相中发生，均相的，体反应，均匀成核。 （2）固体表面发生，非均相的，表面反应，非均匀成核。 外延希望后者，而不希望前者，因前者在气相中就有硅颗粒、硅团形成，将妨碍衬底上硅单晶的生长。 （1）的发生是由于高过饱和度，一般是（2）首先发生 外延可同质，也可异质 异质外延：晶格参数匹配，或很相近 硅粒子的核心已达到临界尺寸（临界核），均匀成核成为可能。 胚团小于临界核，表面能成核形成能，不稳定?非均匀成核。 临界核半径： u：特定表面自由能；P/Peq：硅过饱和度； V：原子体积；k：波尔兹曼常数；T：绝对温度。 P/Peq??r*? ， T??r*? 硅烷低温低压是期望，可避免体反应引起的均匀成核。 3.6.1 均匀成核 图3-13 硅烷产生均匀成核的临界分压与温度关系 对于均匀成核速率： C：常数，?F：核形成自由能，k：波尔兹曼常数， T：绝对温度。 均匀成核临界分压要求： T? P/Peq? 对于均匀成核速率要求： T? P/Peq? 衬底本身将作为核心生长，临界核的概念不存在。 生长模型：平台——台阶——扭折生长。 （1）平台吸附原子，如Si，SiCl2，SiCl4，SiH4 （2）迁移（扩散）?微观表面台阶之上。 台阶来自：晶格缺陷，如螺旋位错，低指数晶 面近处的邻近面。 （3）沿台阶扩散（迁移）到缺陷上去，并结合到晶 格中去。 3.6.2 非均匀成核 Si(111)晶向的硅表面不包含台阶，称为奇异面，外延很难。 外延生长前需二维成核：四面体结构的角锥体。因为平台与角锥体的表面提供了表面台阶。 稍微偏离奇异晶向便可形成单原子生长台阶，使得光滑平面生长成为可能。（111）硅片，切片时朝（110）面偏3~5?，可获得稳定的平面生长。 二维成核，侧向生长迅速。 SiCl4，1200℃，侧向与垂直方向生长速率之比为2800:1。 SiH4则不发生侧向生长迅速的现象。 原因：硅烷的高过饱和度抑制了大的侧向生长系数，可能导致均匀成核，产生粗糙表面和多晶表面生长。 在非均匀成核中，需要考虑吸附原子的吸附自由能?Fad，表面扩散自由能?Fd，因这些自由能不同，成核速率也大为不同，下面公式来表达成核速率dN/dt与自由能及有关参数的关系： C：常数，S=P0/Peq：过饱和度，?Fad：吸附自由能，?Fd：表面扩散自由能，?F：核形成自由能，k：波尔兹曼常数，T：绝对温度。 其中T、P、S是外延生长参数，?F与外延材料种类有关，?Fad和?Fd与衬底有关，因此非均匀成核强烈依赖于衬底材料。 在给定的温度T和含硅气体分压P0条件下，硅的非均匀成核速率dN/dt与衬底材料相关的快慢顺序： 单晶硅多晶硅氮化硅氧化铝（兰宝石）二氧化硅 即： C-Si Poly-Si Si3N4 Al2O3 SiO2 上面那个公式只有当含硅气体的过饱和度超过非均匀成核的临界值时，公式才正确。 在临界处，含硅气体的分压叫做临界分压Pc，当dN/dt=0时，求得Pc。 T??Pc? T Pc 1420K 2?10-3Pa 1530K 5?10-3Pa 上述公式对于描述表面清洁与否对外延的影响十分有用。选择外延重要技术需利用上述公式。 表3-5 衬底材料和气氛对硅淀积速率的影响 3.7 掺杂 这是半导体特性，通过掺杂可获得所需的电参数，即导电类型（p-type or n-type）和适当的电阻率。 半导体器件的性能取决于： （1）掺杂剂浓度的准确控制， （2）掺杂剂浓度沿该处延层的纵向分布。 对于Si而言： n型掺杂剂 ：AsH3，PH3 p型掺杂剂：B2H6 掺杂：把微量的掺杂气体?硅源气体?CVD室