02.3-第三节-半导体中的载流子.pptxVIP

第二章 微电子学的物理基础晶体结构半导体中的电子运动规律半导体中的载流子载流子的输运现象非平衡态半导体PN结物理基础半导体接触现象第三节：半导体中的载流子3.1 本征半导体中的载流子3.2 杂质与能级3.3 非本征半导体3.4 半导体费米能级的位置3.5 电中性状态Sand particlesDishVibrating Table本征半导体本征半导体的定义热激发过程 (温度相关)遵守相应的统计规律动态平衡细致平衡振动沙盘中的沙粒电子和空穴的平衡分布 导带中某一能级E中所含电子浓度 价带中某一能级E中所含空穴浓度 关键问题：费米能级在哪里？3.1 半导体中的载流子浓度绝对零度时（T=0K） 费米能级位于禁带内 T0K时——本征激发费米能级近似位于禁带中央 本征半导体费米能级的位置EEEcn(E) p(E)Evf (E)01本征半导体费米能级位置 （T0K）1 - f (E)n(E) = f (E) gc(E)gc(E)gv(E)p(E) = ( 1 - f (E) )gv(E)本征半导体费米能级位置：在禁带中央附近本征载流子浓度本征半导体中电子与空穴浓度的关系？平衡态下本征载流子浓度与温度的关系？（定性） 本征电子浓度： 本征空穴浓度：半导体中的载流子浓度平衡态下 电子浓度： 空穴浓度：Nc 、Nv为导带和价带的有效状态密度，与半导体能带结构相关载流子浓度与费米能级位置相关，e指数关系。 本征电子浓度： 本征空穴浓度：三种半导体本征载流子浓度随温度的变化曲线3.2 杂质与能级半导体的导电类型 n型半导体、p型半导体半导体器件的关键是在一块半导体的不同区域上可以形成不同的导电类型有杂质和缺陷存在的半导体内部，其势场的周期性被破坏，当电子被束缚在杂质和缺陷周围时就会形成局部化量子态, 与之相应的在禁带中形成能级。杂质分类：施主、受主PP导带EcEgEv价带施主杂质和能级IV族元素半导体V族元素为施主多余的第五个电子——施主能级低温下的施主施主杂质的电离——空间电荷施主电离能 EI在室温下施主全部电离施主只提供电子，成为多数载流子n 型半导体Ed= Ec -Ed原因？导带EcEgBBEv价带受主杂质和能级IV族元素半导体III族元素为受主第四个共价键缺少一个电子——受主能级低温下的受主受主杂质的电离受主电离能 EI在室温下受主全部电离电子和空穴行为之间的对称性受主只提供空穴，成为多数载流子p 型半导体= Ea -Ev原因？Ea浅能级杂质和深能级杂质浅能级杂质：其杂质电离能与禁带宽度相比很小，在禁带中很靠近导带底或价带顶。对载流子浓度的贡献起决定作用深能级杂质：其杂质能级位于禁带中央附近，电离能很大。对载流子浓度的贡献很小。起复合中心作用，可以改变非平衡载流子的寿命两种类型杂质同时存在?杂质补偿补偿半导体：在同一区域内同时含有施主和受主杂质的半导体。Ec杂质补偿Ev施主提供电子的能力和受主提供空穴的能力，由于补偿作用而相互抵消。补偿半导体的导电类型 由占优杂质决定。例题 Si晶体中分别掺有两种浅能级杂质，分别是Al和As，它们的浓度分别是1e16cm-3和5e15cm-3，已知在室温下杂质全部电离， 试求该半导体在室温下的导电类型。3.3 非本征半导体定义：含有杂质缺陷或杂质的半导体。EEEcn(E) p(E)f (E)Ev013.4 非本征半导体中费米能级位置n 型半导体中电子和空穴的平衡态分布 电子是多数载流子，费米能级必须位于中线之上1 - f (E)n(E) = f (E) gc(E)gc(E)gv(E)p(E) = ( 1 - f (E) )gv(E)EEEcn(E) p(E)Evf (E)01p 型半导体费米能级的位置空穴是多数载流子，费米能级必须位于中线之下1 - f (E)n(E) = f (E) gc(E)gc(E)gv(E)p(E) = ( 1 - f (E) )gv(E)思考题 某一块半导体的费米能级在导带中央附近，请问是否可以说该半导体为本征半导体？3.5 电中性状态在平衡态条件下，半导体处于电中性状态。由于电子处于不同的能量状态中，产生了正负电荷，但是净电荷密度为零。可能存在的电荷：可自由移动的电荷：电子和空穴固定不动的空间电荷：电离杂质电中性条件： 正电荷总浓度 =负电荷总浓度电中性条件热电子施主电子Ec未电离施主ND+杂质补偿NA-未电离受主Ev热空穴受主空穴前一章，我们引入了载流子的概念：电子（脱离了共价键束缚）和空穴。我们主要给出了能带理论的一个基本结论，即半导体中导带中的电子，通过引入有效质量，即可把它们当作自由电子处理。为了求解载流子浓度，引入了状态密度和费米分布函数的概念。 平衡态: 没有外界影响的情况下: 电场、磁场、温度梯度本征半导体[1]（intrinsic semiconducto