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2. 放大区： 条件：发射结正偏 　　　集电结反偏 　　特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。 二、输出特性 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 放 大 区 　　集电极电流和基极电流体现放大作用，即 放 大 区 放 大 区 对 NPN 管 UBE 0，UBC 0 图 1.3.9　NPN 三极管的输出特性曲线 3. 饱和区： 条件：两个结均正偏 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和。 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管) 饱和区 饱和区 饱和区 [例1]:三极管工作状态的判断 例：测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下