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集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 Qit和下列因素有关：氧化温度，氧化气氛（湿氧、干氧），晶向等 Qit和干氧氧化温度的关系1）Qit 随温度升高而降低； 2）干氧Qit高于湿氧3）在能带中间部分， Qit(100)比Qit(111)低约5倍 降低Qit的方法低温金属化后退火（PMA） （low temperature post-metallization anneal)在H2或H2－N2（Forming Gas Annealing, FGA）中350－500 ?C退火30分钟 退火前，Qit约1011 cm-2eV-1 退火后，Qit约1010 cm-2eV-1 - 可应用 3、可动离子电荷，Qm（mobile ionic charge） 二氧化硅质量的检验 一、氧化膜的缺陷检查 1、氧化膜针孔的检测 EPW（邻苯二酚－乙二胺－水腐蚀法） 阳极氧化法 氯气腐蚀法 MOS 二极管法 2、氧化导致的层错的检测（OISF：Oxidation induced stacking faults) 氧化后，用HF去除SiO2, 用Sirtl溶液腐蚀 Sirtl溶液：100ml H2O + 50 g Cr2O3 +75 ml HF 3、氧化膜中钠离子含量测定（在后面电学测量中讲到） 厚度测量 机械法 比色法 椭