第2章热平衡时的能带和载流子浓度02汇总.pptVIP

第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 其中，m0是自由电子的质量，q是电荷量，ε0是真空介电常数，h是普朗克常数；n是正整数，称为主量子数。 深入研究指出，主量子数高时（n ≥ 2），由于角量子数（l = 0，1，2，…，n-1）的关系，能级会分裂。 2.5.1 孤立原子的能级 对一孤立原子，电子的能级是分离的。例如，孤立氢原子的玻尔能级模型： 2.5 能带 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * N个原子形成一固体，能级将分裂成N个分离但接近的能级。当N很大时，将形成一连续能带。此N个能级可延伸几个电子伏特，视晶体内原子的间距而定。如右图所示，a代表平衡状态下晶体原子的间距。 能级分裂成能带 两个相同原子距离很远时，对同一个主量子数（如n = 1），其能级为双重简并，即2个原子具有相同的能量。但当两个原子接近时，由于两原子间的交互作用，会使得双重简并能级一分为二。 a 原子间距 电子能量 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 其中10个电子占据深层能级，它们的电子轨道比晶体中的原子间距小得多。 其余4个价电子的结合相当微弱，且可以参与化学作用。因为2个内层价电子被完全占据，且与原子核紧密束缚，因此只需考虑外层的价电子。 半导体中实际能带的分裂更为复杂 下图为拥有14个电子的孤立硅原子 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 原子间距a时，能带将再度分裂，使得每个原子在较低能带（价带）有4个量子态，在较高能带（导带）也有4个量子态。 下图是N个孤立硅原子形成一硅晶体的能带形成图。当原子间距离缩短时，N个硅原子的3s及3p副外层将彼此交互作用及重叠。 价带 导带 3s 2N个状态 2N个电子 4N个状态 5.43? 晶格原子间距 6N个状态 2N个电子 3p 4N个状态 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 导带底部与价带顶部间的禁止能量间隔（EC-EV）称为禁带宽度Eg，如图左边所示。价带中的电子送到导带，而在价带中留下一个空穴所需的能量。 绝对零度时，电子占据最低能态，因此价带所有能态将被电子填满，而导带所有能态将没有电子，导带的底部称为EC，价带的顶部称为EV。 Eg EC EV 价带 导带 3s 2N个状态 2N个电子 4N个状态 4N个电子 5.43? 晶格原子间距 6N个状态 2N个电子 3p 4N个状态 0个电子 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 电子有效质量视半导体的特性而定，大小由E对p的二次微分可得： 半导体晶体，导带中的电子类似自由电子，可在晶体中自由移动。但因为原子核的周期性电势，利用自由电子的能量关系式，将式中自由电子质量换成有效质量mn，则 有效质量 抛物线曲率半径越小，对应的二次微分越大，有效质量越小。空穴也可用类似方法表示（其中有效质量为mp）。 Eg 空穴能量 电子能量 导带 (mn=0.25m0) 价带 (mp=m0) 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 右图为GaAs的动量-能量关系曲线，其价带顶与导带底发生在相同动量处（p=0）。因此，电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。 直接带隙半导体 能量/eV 直接带隙和间接带隙半导体 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * Si，其动量-能量曲线中价带顶在p=0，导带最低处则在p=pc。因此，电子从价带顶转换到导带最低处时，不仅需要能量转换（≥Eg），也需要动量转换（≥pc）。 间接带隙半导体 能量/eV 0 pc 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 用能带理论解释金属、半导体及绝缘体的电导率之间的巨大差异：电子在最高能带或最高两能带的占有率决定此固体的导电性。 2.5.2 金属、半导体和绝缘体的传导 价带 导带 填满的价带 空导带 部分填满的导带 Eg Eg≈9eV 金属 价带 导带 半导体 绝缘体 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 金属 价带 导带 部分填满的导带 电阻很低，其导带不是部分填满（如铜）就是与价带重叠（如锌或铅），根本没有禁带存在，如图所示。 因为接近占满电子的能态处尚有许多未被占据的能态，因此只要有一个小的外加电场，电子就可自由移动，故金属导体可以轻易传导电流。 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 填满的价带 空导带 Eg =9eV 绝缘体 绝缘体（如SiO2）的特征是有很大的禁带宽度。价带能级完全占满电子，导带能级则是空。 热能或外加电场能量不足以使价带顶端的电子激发到导带。因此，实际上几乎没有电子可以占据导带上的能态，对电导的贡献很小。所以无法传导电流。 第2