2016量子物理习题课.pptVIP

1. n 型半导体中， 杂质原子所形成的局部能级称为 ，在能带结构中应处于 中， 而接近 。 ◆ 半导体—— n （电） 4 （5）施主导底 p （空） 4 （3）受主满顶 2. 激发本征半导体中传导电子的几种方法有（1）热激发，（2）光激发，（3）用三价元素掺杂，（4）用五价元素掺杂。对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导电子的只有 [ ] A. (1)(2). B. (3)(4). C. (1)(2)(3). D. (1)(2)(4). 3.与绝缘体比较，半导体的能带结构特点是 [ ] A.导带也是空带。 B. 满带与导带重合， C.满带中总是有空穴，导带中总是有电子。 D.禁带宽度较窄。 4.硫化镉（CdS）晶体的禁带宽度为 2.42 eV, 要使这种晶体产生本征光导电，则入射到晶体上的光的波长不能大于 [ ] A. 650 nm. B. 628 nm. C.