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半导体物理基础知识 1.1导体，绝缘体和半导体 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。表1-1给出以电阻率来区分导体，绝缘体和半导体的大致范围。 物体 电阻率 导体 半导体 绝缘体 Ω· CM 10e-4 10e-3~10e9 10e9 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.1几种常见元素的原子结构 硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如图1.2-1所示 图1.2-1 第三层4个电子 第二层8个电子 第一层2个电子 Si +14 P +15 B 最外层5个电子 最外层3个电子 si P B 原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。 若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.2晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化。 1.2.3单晶和多晶 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.4硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。如图1.2-2所示。 图1.2-2 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.5硅晶体的金刚石结构 晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。图1.2-3表示一些重要的晶胞。 (a)简单立方 （Po） (b)体心立方 （Na、W） (c)面心立方 （Al、Au） 图1.2-3 正四面实体结构 图1.2-4 金钢石结构 1.2半导体材料硅的晶体结构 金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成（见图1.2-4）。 为了简便明了，以后分析问题时只要采用图1.2-2所示的平面结构示意图即可。 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.6晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。图1.2-5是几种常用到的晶面和晶向。 (100晶面) (110晶面) (111晶面) 图1.2-5 1.2半导体材料硅的晶体结构 1.2.7原子密排面和解理面： 在晶体的不同面上，原子的疏密程度是不同的，若将原子看成是一些硬的球体，它们在一个平面上最密集的排列方式将如图1.2-6所示，按照这样方式排列的晶面就称为原子密排面。 图1.2-6 1.2半导体材料硅的晶体结构 比较简单的一种包含原子密排面的晶格是面心立方晶格。而金刚石晶格又是两个面心立方晶格套在一起，相互之间。沿着晶胞体对角线方向平移1/4而构成的。我们来看面心立方晶格中的原子密排面。按照硬球模型可以区分在(100)(110)(111)几个晶 面上原子排列的情况，如图1.2-7所示。 金钢石晶格是由面心晶格构成，所以它的(111)晶面也是原子密排面，它的特点是，在晶面内原子密集、结合力强，在晶面之间距离较大，结合薄弱，由此产生以下性质： (a)由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着(111)晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。 (b)由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度比(111)面低。所以(100)面比(111)面的腐蚀速度快，选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，(100)面腐蚀速度比(111)面大的多，因此，用(100)面硅片采用这种各向异性腐蚀的结果，可以使硅片表面产生许多密布表面为(111)面的四面方锥体，形成绒面状的硅表面。 1.2半导体材料硅的晶体结构 (100) (110) (111) 图1.2-7 从图中可见，晶体