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* 《集成电路设计基础》 * HEMT的性能和发展 由于HEMT的优秀性能，这类器件近十年有了广泛的发展。它在许多方面取得进展，如减小栅长，优化水平和垂直结构，改善2DEG限制结构及原料系统。 HEMT传输的频率fT随栅长减小而增加，栅长越短则GaAs场效应管速度越快，至今先进HEMT工艺的栅长小于0.2?m，实验室水平小于0.1?m，但同时要考虑光刻分辨率以及减小栅长带来的栅极电阻增大的问题。栅长小于0.3?m可考虑采用蘑菇型即T型栅极。 * 《集成电路设计基础》 * 4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 CMOS工艺技术是当代VLSI工艺的主流工艺技术，它是在PMOS与NMOS工艺基础上发展起来的。其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。P阱工艺包括用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证P沟道器件的正常特性。 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了背栅偏置的灵敏度，增加了源极和漏极对P阱的电容等。 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS工艺 N阱CMOS正好和P阱CMOS工艺相反，它是在P型衬底上形成N阱。因为N沟道器件是在P型衬底上制成的，这种方法与标准的N沟道MOS(NMOS)的工艺是兼容的。在这种情况下，N阱中和了P型衬底， P沟道晶体管会受到过渡掺杂的影响。 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS工艺 早期的CMOS工艺的N阱工艺和P阱工艺两者并存发展。但由于N阱CMOS中NMOS管直接在P型硅衬底上制作，有利于发挥NMOS器件高速的特点，因此成为常用工艺 。 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS芯片剖面示意图 N阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺 随着工艺的不断进步，集成电路的线条尺寸不断缩小，传统的单阱工艺有时已不满足要求，双阱工艺应运而生。 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料是在N+或P+衬底上外延一层轻掺杂的外延层，然后用离子注入的方法同时制作N阱和P阱。 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺 使用双阱工艺不但可以提高器件密度，还可以有效的控制寄生晶体管的影响，抑制闩锁现象。 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺主要步骤 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4， P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻 和腐蚀，形成有源区版。 （6）?N管场注入光刻，N管场注入。 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺主要步骤 （7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅 氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。 （8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成 多晶硅版。 （9）?NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。 （10）?PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。 （11）硅片表面生长SiO2薄膜。 （12）接触孔光刻，接触孔腐蚀。 （13）淀积铝，反刻铝，形成铝连线。 * 《集成电路设计基础》 * MOS工艺的自对准结构 自对准是一种在圆晶片上用单个掩模形成不同区域的多层结构的技术，它消除了用多片掩模所引起的对准误差。在电路尺寸缩小时，这种有力的方法用得越来越多。 有许多应用这种技术的例子，例子之一是在多晶硅栅MOS工艺中，利用多晶硅栅极对栅氧化层的掩蔽作用，可以实现自对准的源极和漏极的离子注入，如图所示。 * 《集成电路设计基础》 * 自对准工艺 示意图 * 《集成电路设计基础》 * 自对准工艺 上图中可见