晶体管结构与作用.pptx

微电子制造原理与技术第二部分 芯片制造原理与技术李 明材料科学与工程学院芯片发展历程与莫尔定律晶体管结构与作用芯片微纳制造技术主要内容半导体基础知识MOSFET晶体管结构和工作原理晶体管应用举例半导体绝缘体导体（金属）大理石铜硅玻璃铁锗橡胶电阻率导体、半导体、绝缘体单元素半导体：Si、Ge、Sn等，外壳电子数为 4的C族元素化合物半导体：GaAs、GaP、InAs、ZnSe等， 一般由B和N族组成的化合物。氧化物半导体：ZnO、MnO2、MnO、Cr2O3、 NiO、TiO2、Cu2O、SnO2等电阻率的影响因素：杂质、温度、光、结构缺陷本征半导体本征半导体： 纯净的单元素半导体硅、锗，以及等价化合物半导体GaAs、GaN等。本征半导体的导电机理： 在温度非常低的条件下，最外层价电子被束缚得很紧，几乎无自由电子或空穴存在。故本征半导体在低温下的电阻率很高，变为绝缘体。 在受热或光照射的条件下，价电子被激发而成为自由电子，同时产生等数量的带正电荷的空穴。这些自由电子和空穴在外界电场的作用下移动而形成电流。 ● —束缚电子，●—自由电子， ● —电子空穴掺杂物半导体N型半导体： 向本征半导体中掺杂少量的价电子数为 5 的N族元素，则可获得自由电子，而成为N（Negative）型半导体。 N型半导体的导电性主要靠自由电子的移动来完成。P型半导体： 向本征半导体中掺杂少量的价电子数为 3 的B族元素，则可产生空穴，而成为P（Positive）型半导体。 P型半导体的导电性主要靠空孔的的移动来完成。● —束缚电子，●—自由电子， ● —电子空穴PN结与二极管的特性与构造 PN结：PN Junction,二极管：Diode电子的移动方向空穴的移动方向电子空穴电子空穴整流特性： 当向PN结由P向N方向施加反向电压时，PN结合部位将出现空乏层，电流无法导通（图左）。但施加正向电压时，自由电子和空穴会顺利移动而形成电流。这就是PN结二极管重要的整流特性。正极P-SiN-Si负极PN结的电流特性正向电流降伏电压芯片上二极管的构造正极正向电压逆向电压降伏电流负极逆向电流二极管的标记PN结的应用电流整流器偏置隔离电 至光 转换电发光原理：正负电在半导体P-N节处相遇，产生光子而发光光 至电 转换光发电原理：光子照射到P-N节，产生电流，产生电力光伏太阳能电池LED照明场效应晶体管（MOSFET） 场效应晶体管低电压和低功耗。结型场效应晶体管（JFET）和金属-氧化物型场效应晶体管（MOSFET）引出栅极（Vg） gateN型隧道（电子隧道）SiO2 绝缘膜引出源极（Vs）source引出漏极（Vd）drain多晶体-Si栅极N-Si 源极P-SiN-Si 漏极基极（Vsub）substrateVgVsVdVsubNMOS型场效应三极管特 性Vg = 0：源极与漏极间，由于NPN结的作用无电流通过。Vg 0：且较高时，栅极与P-Si的界面间形成电子富集层（电子隧道），源极与漏 极连通，电流通过。VgVsVdVsubPMOS型场效应三极管特 性与NMOS动作相反，当Vg ＜ 0 ，且绝对值较大时，栅极与N-Si的界面间形成空孔富集层（空孔隧道），源极与漏极连通，电流才能通过。由于空孔的移动速度低于电子，故动作速度比NMOS慢，应用较少。 电子迁移率=1350cm2/V·S， 空孔迁移率= 480cm2/V·S 引出栅极（Vg） gateP型隧道（空孔隧道）SiO2 绝缘膜引出源极（Vs）source引出漏极（Vd）drain多晶体-Si栅极N-SiP-Si 源极P-Si 漏极基极（Vsub）substrate场效应晶体管——NMOS的结构芯片上的实际NMOS结构两个pn结偏置状态相反沟道由反型层构成，与源漏形成通路场效应晶体管工作原理+NMOS0.7 voltsVgs++++ ++++N+N+P- - - - - - - - - - 3 voltsVds-场效应晶体管工作原理NMOS电流电压特性线性区，MOSFET象电阻，电阻受栅电压控制饱和区，MOSFE象电流源，电流大小与VG2有关场效应晶体管工作原理栅的作用类似与水闸的闸门输出电压CMOS的输入输出特性5VPMOSVs54321输入电压12345输出输入NMOSVsCMOS型晶体管—并联式MOS型场效应管 CMOS：Complemetary Metal-Oxide Semiconductor当输入电压低时，NMOS不导通，PMOS导通，输出电压为高5V，表现为[1]。当输入电压高时， NMOS导通，PMOS不导通，输出电压为低0V，表现为[0]。CMOS型晶体管—并联式MOS型场效应管 将PMOS和NMOS做在同一集成电路上就形成了互补型金属氧化物半导体技术，也就是