第5章半导体存储汇总.ppt

第4.1节 存储器 计算机存储器分类 （一）按材料分类 磁性存储器 如磁盘（软盘、硬盘）、磁带、磁芯 光盘 CDROM只读光盘：容量大、适合存放系统软件 CDRAM读写光盘：容量大、可改写、适合较高档计算机的外存 半导体存储器 体积小，速度快，功耗低，是计算机的主要存储器。 CACHE、ROM、RAM均是半导体存储器，由大规模集成电路制成。 （二）按在计算机中的位置分类 内部存储器（内存） 通常直接与系统总线相连，可细分为： 内部CACHE 在CPU内作为一个高速的指令或数据缓冲区。一级CACHE，二级CACHE均指内部CACHE。 外部CACHE 通常制作在主板上，比主存储器的速度快，介于内部CACHE和主存之间的一个缓冲区。 主存储器 计算机系统主要使用的空间。要求速度快，体积小，容量大。一般为半导体存储器。 外部存储器 通常是通过总线接口电路与系统总线相连。要求容量大、掉电信息不丢失，速度可以慢些。如磁盘、光盘 半导体存储器 半导体存储器 （一）按器件分类 双极性TTL电路 速度较快（10～50nS）、集成度低、功耗大、成本高 MOS NMOS和CMOS两种，现大量使用CMOS存储器，存储速度可达几纳秒。 特点：集成度高(单片可达1Gb)、功耗小、成本低 电荷耦合器 速度快、但成本较高 （二）按存储功能分类 读写存储器 随机读写存储器(RAM Random Access Memory) 可对任一单元进行读写，是计算机主存储器。62**系列 先进后出存储器（LIFO Last In First Out） 寄存器、堆栈 先进先出存储器（FIFO First In First Out） 寄存器、队列 只读存储器（ROM Read Only Memory） 只能读（用特殊方法可写入），掉电信息不丢失，可作为主存储器存放系统软件和数据等。 ROM可分为： 存储器基本知识 二. 内存的行列结构 为区分不同存储单元，每个单元都对应一个地址，读写访问时，应给出相应地址，经过译码后，选中具体存储单元。为简化译码电路，内存中存储单元按照多行多列的矩阵形式来排列。 例：组成1KB的内存 1）若不按矩阵形式排列，而是一字排开，则需要1024根译码线 2）若按32×32的矩阵形式排列，则只需要5根行选择线和5根列选择线 存储器基本知识 三. 随机读写存储器——RAM (Random Access Memory) RAM既可读又可写，掉电信息丢失，按结构又可分为SRAM和DRAM 1. 静态RAM —— SRAM（static RAM） 使用双稳态触发器存储信息，速度快，不需要刷新，但容量低、功耗大 计算机中CACHE常使用SRAM 如：6264 8k * 8 62256 64K * 8 存储器基本知识 2.动态RAM —— DRAM（dynamic RAM） 使用电容存储信息，充电状态和放电状态分别表示1和0，因电容有漏电，因此需要对动态RAM进行定时刷新。计算机中的主存条多以DRAM为主。 DRAM的刷新 DRAM的一次刷新过程就是对存储器进行一次读取、放大和再写入，通常按行进行刷新，具体执行时，让行地址信号/RAS有效，将该行所有存储单元分别读出，与放大电路接通，再写回。然后再给出下一行的/RAS信号，重复操作。 通常每一行的刷新时间间隔不应超过2ms，实际应用时，由专用的DRAM控制器（Intel 8203、8207、8209）或DRAM本身自带的的片内刷新电路完成动态RAM的刷新。 存储器基本知识 四. 只读存储器——ROM (Read Only Memory) ROM结构简单，位密度比RAM高，掉电信息不丢失，可分为： 1. 固定ROM (掩膜ROM) —— 由制造厂家固化内容，不可修改 2. 可编程ROM (PROM) —— 由用户固化内容，但不可修改 3. 可擦除、可编程ROM (EPROM) —— 可多次擦除和重写（紫外线擦除） 27**系列 2716 2732 2764 … 27040 4. 可电擦除、可编程ROM (EEPROM) —— 可多次擦除和重写（电擦除） 2817 28C64 28C256 4种工作方式：读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式 5. 闪烁存储器(FLASH ROM) —— 属于EEPROM类型，性能优于EEPROM