微型计算机w原理及其应用存储器及其接口.pptVIP

* 典型的半导体芯片举例 　Intel 6116存储器芯片的工作过程如下： 读出时，地址输入线A10～A0送来的地址信号经地址译码器送到行、列地址译码器，经译码后选中一个存储单元(8个存储位)，由读出逻辑(CS=0，OE=0，WE=1)，被选中单元的8位数据经I/O电路和三态门送到D7～D0输出。 写入时，此时CS=0，OE=1，WE=0，打开左边的三态门，从D7～D0端输入的数据经三态门和输入数据控制电路送到I/O电路，从而写到存储单元的8个存储位中。 当没有读写操作时，CS=1，即片选处于无效状态，输入输出三态门至高阻状态，从而使存储器芯片与系统总线“脱离”。6116的存取时间在85～150 ns之间。 * 典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 　 * 典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 DRAM芯片2164A的容量为64 K×1 bit，用8片2164A才能构成64 KB的存储器。若想在2164A芯片内寻址64 K个单元，必须用16条地址线。 地址线分为行地址线和列地址线，而且分时工作，这样DRAM对外部只需引出8条地址线。芯片内部有地址锁存器，利用多路开关，由行地址选通信号RAS(Row Address Strobe)，把先送来的8位地址送至行地址锁存器，由随后出现的列地址选通信号CAS(Column Address Strobe)把后送来的8位地址送至列地址锁存器。 * 典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 * 典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 64 K存储体由4个128×128的存储矩阵组成，每个存储矩阵，由7条行地址线和7条列地址线进行选择，在芯片内部经地址译码后可分别选择128行和128列。 锁存在行地址锁存器中的七位行地址同时加到4个存储矩阵上，在每个存储矩阵中都选中一行，则共有512个存储电路可被选中，其存放信息被选通至512个读出放大器，经过鉴别后锁存或重写。 * 典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 锁存在列地址锁存器中的七位列地址CA6～CA0(相当于地址总线的A14～A8)，在每个存储矩阵中选中一列，然后经过4选1的I/O门控电路(由RA7、CA7控制)选中一个单元，对该单元进行读写。 2164A数据的读出和写入是分开的，由WE信号控制读写。当WE为高时，实现读出，即所选中单元的内容经过三态输出缓冲器在DOUT脚读出。而WE当为低电平时，实现写入，DIN引脚上的信号经输入三态缓冲器对选中单元进行写入。2164A没有片选信号，实际上用行选RAS、列选CAS信号作为片选信号。 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 32×32=1024 存储单元 驱 动 器 X 译 码 器 地 址 反 向 器 I/O电路 Y译码器 地址反向器 控制 电路 输出 驱动 输入 输出 读/写 选片 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储芯片型号 存储容量 地址线 数据线 2101（1K×1B） 1024×1B A0～A9 D0 2114（1K×4B） 1024×4B A0～A9 D0～D3 4118（1K×8B） 1024×8B A0～A9 D0～D7 6116（2K×8B） 2048×8B A0～A10 D0～D7 6232（4K×8B） 4×1024×8B A0～A11 D0～D7 6264（8K×8B） 8×1024×8B A0～A12 D0～D7 61256（32K×8B） 32×1024×8B A0～A14 D0～D7 2732（4K×8B） 4×1024×8B A0～A11 D0～D7 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储器芯片与CPU的连接 在实际应用中，进行存储器与CPU的连接需要考虑以下几个问题： ①CPU的总线负载能力； ②CPU与存储器之间的速度匹配； ③存储器地址分配和片选； ④控制信号的连接。 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储器芯片与CPU的连接 (1)控制线的连接：即如何用CPU的存储器读写信号同存储器芯片的控制信号线连接，以实现对存储器的读写操作。简单系统：CPU读写信号与存储器芯片的读写信号直接相连。 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储器芯片与CPU的连接 (2) 数据线的连接：若一个芯片内的存储单元是8位，则它自身就作为一组，其引脚D0～D7可以和系统数据总线D0～D7或D8～D15直接相连。若一组芯片(4个或8个)才能组成8位存储单元的结构，则组内不同芯片应与不同的数据总线相连。 * 存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 6116 8086 D7 D0 I/O8 I/O1 2164(0) 8086