6.2半导体三极管.pptVIP

* 6.4 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 三极管由两个靠得很近的PN结组成，分PNP和NPN两种类型 6.4.1 三极管的结构与电流放大原理 1．三极管的结构 NPN PNP 2．三极管的电流放大原理 （以NPN型为例） 三极管发射区的作用是向基区注入载流子；基区是传递和控制载流子的，而集电区是收集载流子的。要使三极管正常工作，首先发射区要向基区注入载流子——电子，因此要在发射结加正向电压EB 其次要保证注入到基区的电子经过基区后传输到集电区，因此要在集电结上加反向电压EC 在这两个外加条件下，三极管内载流子的传输发生如下过程 （1）发射区向基区注入电子 发射结正向偏置，发射区的多数载流子—电子扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE，基区的多数载流子—空穴，也要向发射区扩散，但由于基区的空穴浓度比发射区的电子浓度小得多，空穴电流很小，可以忽略 （2）电子在基区的扩散和复合 发射区扩散到基区的电子，与基区内的空穴复合，形成电流IBE。复合掉的空穴由电源补充，形成基极电流IB的主流。基区很薄且掺杂浓度很小，从发射区扩散过来的电子绝大部分到达集电结，并向集电区扩散 （3）集电区收集扩散过来的电子 集电结所加的是反向电压，它阻止集电区的多数载流子——电子向基区扩散，但对从发射区扩散到基区的电子有很强的吸引力，使之很快漂移过集电结，形成电流ICE。另外，由于集电结加反向电压，基区和集电区中的少数载流子产生漂移运动，形成电流ICBO，称为反向饱和电流，这个电流很小，由少数载流子的浓度决定，因此，受温度影响较大，容易使三极管工作不稳定 载流子电流和电路电流的关系 IE=ICE+IBE IB=IBE-ICBO IC=ICE+ICBO 定义三极管的电流放大系数 交流电流放大系数 穿透电流 6.4.2 三极管的特性曲线 三极管的特性用三极管的各极电流与极间电压之间的关系来表示 UBE与IB的关系称为输入特性，把UCE和IC的关系称为输出特性 1．输入特性 2．输出特性 IB=0,IC=ICEO ?IB, 发射结截止，此区域称为截止区。此时三极管处于截止状态。 UCE较小时，集电区收集电子的能力较弱，IC不能随IB同比例增加，IC?IB，此区域称为饱和区。 此时三极管处于饱和状态。 N N P 当UCE大于1V时，IC只与IB有关，与UCE基本无关.IC ≈ ?IB 。此区域称为线性放大区。此时三极管处于放大状态。 6.4.3 三极管的微变等效电路 规定： 直流电压用大写字母U和大写下标表示，如UBE表示基极和发射极电压的直流分量或静态值； 纯交流电压用小写字母u和小写下标表示，如ube； 总电压或电压瞬时值用小写字母u和大写下标表示，如uBE； 纯交流电压的有效值用大写字母U和小写下标表示，如Ube。 若ube与UBE相比，是一时变的小信号电压，则ib、ic和uce也是时变的小信号电流或电压 Q是ube=0时三极管的工作点，称静态工作点 在A和B之间，ΔiB与ΔuBE成正比， 是一个定值（曲线斜率的倒数）， 只与Q点的位置有关 uCE变化时输入特性曲线基本重合，即iB一定时，uBE不随uCE变化而变化 由三极管交流电流放大系数的定义 线性放大区，输出特性曲线比较平坦，即iB一定时，iC基本不随uCE变化而变化 rbc,μr,β,rce全面反映了三极管特性曲线（在线性放大区）的特点 以iB和uCE为自变量，uBE和iC的全微分可表示为 用微量表示 设各变量是在小信号作用下产生的，则 等效电路 常用的简化等效电路 rbe称为三极管的输入电阻。对低频小功率三极管 适用范围是0.1mAIC5mA 3．特征频率fT： β下降到1时所对应的频率。 4．集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，三极管的β值就要下降，β下降到正常值的2/3时的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM 5．集电极—发射极反向击穿电压U（BR）CEO 基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压称为反向击穿电压 6．集电极最大允许耗散功率PCM ICM、U（BR）CEO和P