第二章光学曝光技术课件.pptVIP

X射线衍射与光电子散射效应； 同步辐射光源（硬X射线）的发散效应; 吸收层图形的非陡直边壁效应; 掩模畸变效应; 衬底材料的二次电子效应。 影响X射线LIGA图形精度的因素 准LIGA技术 1.UV-LIGA——紫外光源对光刻胶曝光, 光源来自于汞灯, 所用的掩膜板是简单的铬掩膜板。其原理步骤如图所示。对于UV-LIGA适用光刻胶较多的是SU-8胶。 掩模板 SU-8胶 基底 SU-8胶 紫外光 IBM公司研发的SU-8胶是一种负性胶, 即曝光时, 胶中含有的少量光催化剂( PAG) 发生化学反应, 产生一种强酸, 能使SU-8胶发生热交联。SU-8胶具有高的热稳定性、化学稳定性和良好的力学性能, 在近紫外光范围内光吸收度低, 整个光刻胶层可获得均匀一致的曝光量。 SU-8胶 优点：形成图形结构复杂、深宽比大、侧壁陡峭的微结构。SU-8胶在X光辐照下无膨胀、龟裂等现象，对X光的灵敏度比PMMA高几百倍。 缺点：是存在张应力,以及烘烤量大时在工艺的后段难以除去。 烘烤温度和时间取决于光刻胶的厚度。但是为了获得无龟裂的光刻胶,其温度一般不能超过120℃ 紫外光曝光SU-8胶得到的光刻胶图形照片 2. M2LIGA技术 为了控制微结构的侧壁倾斜度，便于形成具有不同倾斜度的斜面、锯齿、圆锥或圆台等微结构,日本科研人员在 1999年提了M2LIGA技术。该技术用移动掩模X光