田胜骏,高等物理化学.ppt

高等物理化学 专业 电子科学与技术 姓名 田胜骏 学号 201521901023 硅片表面有机物的清洗方法研究进展 硅片有机物清洗简介 1）清洗的目的和意义 2）硅片表面的吸附污染与去除原理 3）较少吸附的主要途径 4）硅片表面的污染种类 5 ) 典型清洗方法 硅片清洗的目的： 硅片加工过程中，表面会不断被各种杂质污染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法，将硅片进行清洗，进行洁净化。一般每道工序结束之前，都有一次清洗的过程，要求做到本流程污染，本流程清洗。 意义：多次清洗工序可以保证最终硅片表面的洁净性。 切片、倒角、磨片、热处理、背损伤、化学剪薄，CMP等各个阶段，在工艺结束之后，都需要进行一次清洗，尽量消除本加工阶段的污染物，从而达到一定的洁净标准。而随着加工的进行，对表面洁净度的要求也不断提高，最终抛光结束之后，还要进行一次清洗。 这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对洁净度要求最高。 1）清洗的目的和意义 扫描电镜（SEM）测量的材料表面图像 表面的特点： 最表层存在悬挂键，即不饱和键。 表面粗糙不平整。 微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。 存在较强局域电场。 表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒，而被沾污。 表面吸附：硅材料的表面存在大量的悬挂键，这本身是不饱和键，因此具有很高的活性，很容易与周围原子或者颗粒团簇发生吸