材料w的制备方法单晶材料.pptVIP

* 缺点： a 一般要用坩埚做容器，导致熔体有不同程度的污染； b 当熔体中含有易挥发物时，则存在控制组分的困难； c 不适用于对于固态下有相变的晶体。 设计合理的生长系统，精确而稳定的温度控制，熟练的操作 技术，是获得高质量晶体的重要前提条件。 * 4.3.5 区域熔化技术 体系由晶体、熔体和多晶体原料三部分组成； 体系中存在着两个固-液界面，一个界面上发生结晶过程，而两一个界面上发生多晶原料方向的熔化过程，熔融区向多晶原料方向移动； 熔区体积不变，不断地向熔区中添加原料； 生长以晶体的长大和多晶原料的耗尽而结束； 包括：水平区熔法，浮区法，基座法和焰熔法。 特点： * 1. 水平区熔法（1952年） 水平区熔法晶体生长装置示意图 特点： 减小了坩埚对熔体的污染（减小了接触 面积） ，降低了加热功率；区熔过程 可反复进行，从而提高晶体的纯度或使 掺质均匀化。 水平区熔法与坩埚移动法大体相似，但水平区熔法的熔区 被限制在一个狭小的范围内，绝大部分材料处于固态。 熔区沿着料锭由一端向另一端缓慢移动，晶体生长过程也就逐渐完成。 主要用于材料的物理提纯，但也 常用来生长晶体。 * 浮区法技术要点如下： （1）将多晶料棒紧靠籽晶。 （2）射频感应加热结合区，造成一个溶化区域并使籽晶微熔。 （3）将熔化区缓慢地向下移动，同时单晶逐渐长大，熔化区的稳定依靠其表面张力来维持。 * 4.7 其