* * 10.2 集成门构成的脉冲单元电路 10.2.1 施密特触发器 10.2.2 单稳态触发器 10.2.3 多谐振荡器 vI R1 1 1 G1 G2 vO vO vI R2 图10-2-1 两级CMOS反相器构成施密特触发器 10.2.1 施密特触发器 1.用两级CMOS反相器构成的施密特触发器 ≥ vO vI VT- VT+ VGS(th) 2 VGS(th) R1 R2 图10-2-2 施密特触发器 电压传输特性 ≤ vI R1 1 G1 G2 vO vO vI R2 图10-2-3 两级TTL门构成的施密特触发器 D 2.用TTL门构成的施密特触发器 ≥ ≤ 图10-2-4 CMOS集成施密特触发器电路 TP2 TN1 vI TP1 TN2 TP3 vO ● TN3 VDD TP4 TN5 TP5 TN6 vO vO VDD TP6 施密特触发器 整形 (a) 缓冲输出 vI vO (b) 1 3.集成施密特触发器 图中TP4、TP5及TN4、TN5构成两个首尾相连的反相器,用来改善输出波形(整形);TP6和TN6组成输出缓冲级,以提高电路的带负载能力,同时起隔离作用。 VCC ● T1 T2 vO T3 vO vO D1 D4 D3 T4 T5 D6 T6 vO 图10-2-5
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