14数字逻辑4-2.ppt

* FLASH存储器? 也称闪存，高密度非易失性的读／写存储器。有RAM和ROM的优点。 FLASH存储元 FLASH的基本操作 FLASH的阵列结构 * FLASH存储元 存储元:单个MOS晶体管组成. 漏极D,源极S，控制栅和浮空栅。 浮空栅: 电子多: 状态0 电子少: 状态1 控制栅正电压: 状态1:SD导通 ;状态0:SD不导通 ;读出 源极S正电压: 吸收浮空栅电子 擦除 写1 控制栅足够正电: 浮空栅聚集电子 写0 （编程） . * ?三种基本操作: 编程:控制栅为编程电压VP 写0 操作。 控制栅无正电 ：相当于写1 擦除:源极S为正电压，相当于写1. 读出：:控制栅加读出电压VR 状态1:SD导通 ;状态0:SD不导通 ; * FLASH阵列结构  各种存储器性能比较( 表4.2，P，118） FLASH 主要优点 非易失 高密度 单晶体管存储元 可写性 * 小 结 ROM主要由与门—或门”二级电路组成。与阵列不可编程，或门可编程。 组合逻辑函数可写为标准与或表达式．可用PROM实现．但PROM只能实现函数的标准与或表达式。