Sn_9Zn_Cu焊点剪切强度及断口形貌分析.docxVIP

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Sn_9Zn_Cu焊点剪切强度及断口形貌分析

DOI:10.14176/j.issn.1001-3474.2011.05.007电子工艺技术2011年9月 第32卷第5期262Electronics Process TechnologySn-9Zn/Cu焊点剪切强度及断口形貌分析孙静,孟工戈,陈永生(哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨,150040)摘 要:研究了BGA直径分别为750 μm、1 000 μm、1 300 μm的Sn-9Zn/Cu焊点剪切强度及其变化规律。 采用SEM和EDX对剪切断口进行观察和元素成分分析。试验结果表明,随着焊球直径的增大,焊点剪切强度先 减小后增大。剪切断裂位置大部分位于钎料内部,局部位于界面化合物Cu5Zn8处。在相同的剪切高度与剪切速 率下,随着焊点直径的增加,断裂形式依次为韧性断裂、脆性断裂、韧脆混合断裂和抛物线型韧窝变浅。关键词:Sn-9Zn;剪切强度;IMC;剪切断口 中图分类号:TN604 文献标识码:A 文章编号:1001-3474(2011)05-0262-04Sn-9Zn/Cu Solder Joints Shear Strength andFracture Morphology AnalysisSUN Jing, MENG Gong-ge, CHEN Yong-sheng(Harbin University of Science and Technology, Harbin 150040, China )Abstract: The shear strength and changing regularity of Sn-9Zn BGA solder joints are studied, BGA diameters are 750 μm, 1 000μm, 1300μm. SEM and EDX are used to observe the shear fractures and element component. The results show that, Sn-9Zn/Cu solder joints shear strength first decreases and then increased with the increase of solder ball diameter. The fracture positions of Solder joints are most located in solders, and partially in the interface compounds Cu5Zn8 after welding. In the same shear height and shear rate, with the increase of the diameter of solder joint, the fracture mode is in order as ductile fracture, brittle fracture and ductile-brittle mixed fracture; The parabolic dimples become shallow.Key words: Sn-9Zn; Shear strength; Intermetallic compound; Shear fracture Document Code: A Article ID: 1001-3474(2011)05-0262-04由于含铅物质对人体和环境造成危害,新型无焊点常由于热失配和器件装配外力等原因发生剪切铅电子焊料的研究和开发成为电子和材料界近年来破坏,因此BGA封装中芯片与印制电路板(Printed的热点之一。目前应用最为广泛的是Sn-Ag-Cu系合Circuit Board, PCB)之间良好的剪切性能是器件高金无铅焊料,但其价格较高。因此成本低廉、熔点可靠性的保证[6]。较低和力学性能良好的共晶Sn-Zn系合金受到许多研近年来,已有部分关于添加合金元素对Sn-Zn共究者的关注[1-4]。文献[5]报道Sn-Zn钎料/Cu接头形成了晶合金力学性能及界面区组织的研究,但这些研究不同于其他钎料/Cu接头的反应扩散层,即Cu-Zn化主要集中在Sn-Zn合金与两Cu片搭接形式上[7,8],对于合物层, 但是确定反应层中形成的化合物类型以及其在PCB焊点的研究甚少。本文主要研究Sn-9Zn/Cu接头强度与界面反应层生长之间的关系还需要进一焊点剪切强度与剪切断裂位置、断口形貌之间的关步的研究与探讨。系以及断裂机理分析。球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)封装是适应目前电子封装技术朝高密度化、小型化和集成化等多功1 试验材料及方法能方向发展的一种新型技术。而B

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