影响谱带位移的因素大体上可以归纳为以下几方面: (1)诱导效应(I效应) 具有一定极性的共价键中,随着取代基的电负性不同而产生不同程度的静电诱导作用,引起分子中电荷分布的变化,从而改变了键的力常数,使振动频率发生变化的效应称为诱导效应。它只沿键的方向发生作用,且与分子的几何形状无关,主要决定于取代原子的电负性或取代基的总的电负性。 在无机化合物中,这种效应主要反映在相同阴离子团与不同阳离子结合时,阴离子基团中的基本频率的影响。 (2)共轭效应 形成多重键的π电子在一定程度上可以移动,如1,3-丁二烯的四个碳原子都在一个平面上,四个碳原子共有全部π电子,结果中间的单键具有一定的双键性质,而两个双键的性质有所消弱,这就是共轭效应(M效应)。 共轭效应使共轭体系中的电子云密度平均化,结果使原来的双键伸长(即电子云密度降低),力常数减小,所以振动频率降低。 (3)键应力的影响 在正常情况下,Si-O结合时,Si原子位于O原子正四面体的中心,它们之间的键角为109°28’。但是SiO4四面体相互可以结合,从而改变Si-O键角,引起键能变化,产生振动频率的位移。 硅酸盐的结构比较复杂,在红外光谱图上有的交叠,不易判断。 (4)氢键 形成氢键后,原来的键的伸缩振动频率将向低频方向移
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