第三章 薄膜t制备技术—溅射法.pptVIP

（1）离子束溅射沉积 又称为二次离子束沉积，由惰性气体产生的高能离子束轰击靶材进行溅射，沉积到衬底上成膜。 在离子束溅射沉积中，用离子源发出离子，经引出、加速、取焦，使其成为束状，用此离子束轰击置于高真空室中的靶，将溅射出的原子进行镀膜。 在沉积室中引入反应气体，还可以进行反应离子束磁控溅射，形成化合物薄膜。 3.4 离子成膜技术 --2. 离子束成膜 在离子束溅射沉积中，由离子源产生的离子束通过引出电极引入真空室，打到靶材上溅射，实现薄膜沉积。 3.4 离子成膜技术 -- 离子束成膜 （1）离子束溅射沉积 （1）离子束溅射沉积--优点： 用平行离子束溅射靶材，离子束的入射角和束流以及离子 能量易于控制，可以做到离子束的精确聚焦和扫描； 沉积室中的工作压强低，可将气相散射对沉积的影响减到 最小，同时又可减小气体对薄膜的污染； 衬底相对于离子源和靶材是独立的，温度和电压可单独控 制，与靶材和高频电路无关，可避免受高能电子的轰击； 离子束独立控制，可得到性能很好的薄膜，为溅射过程及 薄膜生长过程的研究提供了强有力的手段。 3.4 离子成膜技术 3.4 离子成膜技术 --溅射沉积 3.4 离子成膜技术 --溅射沉积 （2）离子束沉积（IBD） 又称为一次离子束沉积，由固态物质的离子束直接打在衬底上沉