自动检v测技术实用教程高职层次.pptVIP

此时，半导体中的载流子（设为电子）将受洛伦兹力F的作用向-x方向运动，使-x平面上堆积了负电荷，+x平面上就有多余的正电荷，从而在半导体内又产生了一个横向电场。这个横向电场的电场力与洛伦兹力的方向正好相反，在这两种力的作用下，使-x平面上堆积的负电荷越来越多，横向电场力就越来越大。由于洛伦兹力F保持不变，当作用在电子上的洛沦兹力和横向电场力相平衡时，电子的运动就会停止。在稳定状态下，半导体片两侧面（x方向）的负电荷和正电荷相对积累，形成电动势，这种现象称为霍尔效应。 由此而产生的电动势称为霍尔电势。霍尔电势VH的大小为： VH=KHIB （2-9） 式中，KH为霍尔灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电势差的大小；I为控制电流；B为磁感应强度。 式（2-9）是表示传感器受磁面与所加磁场成直角的情况。如果受磁面与所加磁场夹角为θ，则式（2-9）为 VH=KHIBsinθ （2-10） 在工程应用中，控制电流I通常为几毫安到几十毫安；B的单位可为高斯（Gs）或特斯拉（T），1特斯拉（T）＝104高斯（Gs）；KH通常表示电流为1mA，磁场为1kGs时的输出电压，单位为mV/(mA·kGs)，它与元件材料的性质和几何尺寸有关。 2）霍尔元件材料及特点 霍