光电世界--CCD应用.ppt

运动模糊 Rolling shutter Global shutter 感光度的影响 感光器面积不一样，单像素尺寸就不一样，像素越大，噪声越低； 1Ds Mark 4, aps-H, 1800万像素；D3s， fx， 1200万像素； argus， 5m*360=1,8G 二相时钟系统 电荷转移方向的控制通过附加的n掺杂区实现;(掺n,势阱变深) 两相时钟互为反相;(时间重叠要求不严格) 与四、三相比:CCD结构更复杂,电荷容纳能力也小；但驱动更简单；电荷只能单向转移； a, 单输出通道线阵 b, 双输出通道线阵 c, 四输出通道线阵 单输出通道线阵CCD 光照，产生光生电子并被收集在MOS电容中—光积分； 转移栅把电荷并行地转移到移位寄存器中； 移位寄存器开始向右转移电荷，同时MOS电容又开始进行光积分； 移位寄存器继续向右转移电荷，同时MOS电容继续进行光积分； 移位寄存器继续向右转移电荷，同时MOS电容继续进行光积分； 移位寄存器还继续向右转移电荷，同时MOS电容还继续进行光积分；(下一次从MOS转移到移位寄存器前，移位寄存器中的电荷一定要传完) 双输出通道线阵CCD 光积分过程； 光积分结束；光电荷通过转移栅转移到移位寄存器； 光电荷在移位寄存器中转移；新一轮光积分开始； 光电荷继续转移；光积分持续； 光电荷继续转移；光积分持续； 光电荷继续转移,即将结束；光积分持续，即将结束； 帧转移型列间转移型面阵CCD工作过程描述 全帧型面阵CCD工作过程描述 TDI 时间延迟积分 电子图像同步移动 + 多重曝光 一般要求相对移动速度一定； 电荷的输出 CCD器件信号的输出 存储的电荷要转换成电压或电流信号，并输出； 两种电荷-电压转换结构： Floating-diffusion output with reset Floating-gate output without reset 无论哪种情况，转换都要通过一个源极跟随器输出； 带复位开关的浮置扩散区 最常用的输出结构； t1,电荷存储在Φ3栅下方,且ΦR接高电位，floating diffusion接VDD,电荷放光； t2,复位开关关闭，扩散区浮接； t3, Φ3变低，其栅极下方的电荷通过直流偏压的输出栅转移到扩散区，扩散区中的电荷使扩散区n＋部分电势进一步降低，从而通过源极跟随器使Vout更低；(信号电压) … CCD采集的，就是我们眼睛看到的么？ 它受什么影响？ CCD的分辨率，color pattern array or Mosaic Color pattern 并非只有一种样式； 最终成像总是需要一个de-mosaic 过程---算法很重要； Side effect: Moire effect 固态成像器件的空间取样本质、加上几何MTF的影响，会带来某种信号的干涉效应—Moire effect。 如前所述，段波长的光穿透深度小； 不是靠猜来满足分辨率—3 层成像技术； 我们现在是如何解决Mosaic的问题的， 3 ccd OR 3MOS readout 的影响 rolling shutter Or global shutter What about DV? CCD or CMOS？-- return of the CMOS 一般来说： 因为历史的原因，CCD技术在日本非常成熟，95%的CCD都出自日本。 CMOS影像传感器却不同。任何具有技术能力的半导体公司都能够制造CMOS影像传感器，所以低廉的成本使它很快就在PC摄像头和手机摄像头中普遍被采用。CMOS影像传感器在高质量的图像应用方面(例如DSC数码相机)赶上CCD应该只是时间问题。 高质量成像中的CMOS 尼康2008年发布D3X 2009发布D3s 高质量成像中的CMOS 尼康D3搭载了被称为FX Format的CMOS传感器，这种传感器的尺寸为36x23.9mm，拥有1210万的有效像素，而这种传感器尺寸同普通35mm胶片底片的36x24mm相当接近，因此可以算为完全的全幅幅面。使用全幅的一个巨大好处就是让数码单反使用起来同普通的银盐单反相机并没有太大的差异。 同时由于幅面更大，像素间的间距也会比较大，自然像素点之间的干扰也会小得多，自然也会更加容易获得纯净的图像。 尼康的D3传感器的像素点尺寸为8.45μm，佳能的1Ds MarkIII的尺寸为6.4μm，而前一代的1Ds Mark II为7.2μm，而更大的像素点可以获得更好的降噪效果，尼康D3支持最高ISO 6400的感光度，如果在扩展模式下甚至还提供了高达ISO 25600的感光度。 D3拥有非常高的连拍速度，在正常模式下