2.1-三极管(结构,电流分配)范例.pptVIP

* * * * * * * * * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 1.输入特性 o iB/?A uBE/V UCE≥1 死区 死区电压： 硅管——0.5V 锗管——0.1V 正向导通压降UBE： 硅管——0.6~0.7V 锗管——0.2~0.3V UBE 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 2.输出特性 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 三个工作区： 1）截止区——IB=0以下的区域(IB0) 条件：发射结集电结均反偏。 特点： ICEO b）c、e之间相当于开关断开 a）IB≈0，IC= ICEO≈0； c e 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 2）饱和区——曲线直线上升部分 条件：发射结集电结均正偏。 特点： ICEO b） UCES≈0， UCES为饱和管压降 c e UCES c