化合物半导体器件—第一章绪论.ppt

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教师:戴显英 办公室:科技楼A708室 电话 Email:xydai@xidin.edu.cn 课程主要内容(大纲要求) 化合物半导体材料 半导体异质结 异质结双极晶体管 金属-半导体场效应晶体管 异质结场效应晶体管 量子器件与热电子器件 异质结光电子器件 宽带隙半导体材料与器件 预备知识 半导体物理 晶体管原理(双极) 晶体管原理(场效应) 固体物理 量子力学 教材/参考书 吕红亮,张玉明,张义门,《化合物半导体器件》 谢孟贤,《化合物半导体材料与器件》 刘恩科,朱秉升,罗晋生,《半导体物理学》 虞丽生,《半导体异质结物理》 谢永桂,《超高速化合物半导体器件》 李效白,《砷化镓微波功率场效应晶体管 及其应用》 方志烈,《半导体发光材料和器件》 第一章 绪论 Si尚不能很好应用的领域 化合物半导体材料与器件的优势 化合物半导体的发展历史 半导体器件未来的发展方向 第二代半导体--GaAs 第三代半导体--GaN 硅的重要性质 1、物理结构性质 晶体结构:金刚石结构晶体 晶格周期(?):5.431 2、能带结构 禁带宽度(eV):1.12 能带对称性:间接带隙 态密度(cm-3):Nc=2.8*1019 Nv=1.1*1019 硅的重要性质 3、电学性质: 电子 空穴 低场迁移率cm2/V·s) : 1350 500 临界(击穿电场)V/cm: 3*105 4*105 饱和漂移速度:cm/s 107 107 有效质量(相对): ml=0.98 mpl=0.16 mt=0.19 mph=0.53 硅的重要性质 4、光学性质 吸收限(λgap): 1.1μm 辐射寿命(s): 几个ms 典型辐射效率(%): 1% Si尚不能很好应用的领域 1.光发射器件:任意波长 发光二极管(LED),激光二极管(LD)。 2.中、远红外探测器:λ≧1.1μm 光纤通讯: λ=1.3和1.5μm; 大气窗口:λ=3-5μm和λ=5-12μm; 热光电器件:感应500K的黑体。 3.紫外探测器: λ≤0.5μm 太阳盲区(日盲)型: λ≤280nm。 4.超高速器件:f≧40GHz,光通讯领域 5.高温器件:T2000C,航天、导弹等。 6.低温器件:T4.2K,航天等。 化合物半导体材料与器件的优势 ①μ:大多数μn比Si高,如GaAs的μn为8000; ②Eg:大多数在1.1eV以上(较Si宽),且范围宽; ③能带结构:多数是直接带隙(D型); ④能带工程: Eg随化合物组分变化而改变; ⑤电阻率:107-109Ωcm,很好的半绝缘;      (Si:2.3x105 Ωcm) ⑥异质结:比同质结的注入效率高;能带有突变; ⑦晶格结构:晶格常数可随组分改变。 化合物半导体材料与器件的优势 (以数字器件为例,与Si比较) ①高速器件:迁移率大; ②高温器件:多数的Eg大; ③低温高速器件:低温迁移率大; ④HEMT及HBT器件:异质结特性; ⑤发光器件:LED,半导体激光器(LD);  光探测器:红外、可见光、紫外; ⑥负阻器件: ⑦光电集成: 目前,低噪放、混频器、功放、开关和乘法器,均已完全采用化合物半导体器件 化合物半导体的发展历史 化合物半导体器件未来的发展方向 第二代半导体--砷化镓 GaAs非常适合高频无线通讯 GaAs是功率放大器的主流技术 手机是促进GaAsIC市场增长的主要动力 国内外GaAs技术现状对比 GaAs还有更多的应用领域 第三代半导体材料—氮化镓 氮化镓与其它半导体材料的比较 GaN应用领域 第三代半导体材料—锗硅 SiGe HBT技术 SiGe HBT的研究与开发在国外已经成熟,并已推出了多种产品,主要应用于RF电路与高速电路。 1996年,美国巴尔的摩公司制造出S波段230W SiGe HBT脉冲功率晶体管,工作频率为2.8GHz。 2002年,IBM公司报道了特征频率高达350GHZ的SiGe HBT,器件具备优良的射频特性。 2004年,Germany IHP公司制造出 fT=300GHz,fmax=250 GHz,门延迟时间小于3.3ps的SiGe HBT; 2004年,Germany Infineon公司制造出fT=225GHz,fmax=300 GHz,门延迟时间小于3.2ps的SiGe HBT; 2004年,IBM公司制造出fT=300GHz,fmax=35

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