模拟部分ch04.pptVIP

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  • 2016-12-01 发布于贵州
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模拟部分ch04

4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较 2. 三种组态的动态指标比较 共源 共漏 共栅 电压增益 输入电阻 输出电阻 很高 很高 Ro ? Rd Ro ? Rd 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路 (CMOS共源放大电路) 4.4.1 MOSFET的小信号模型 1. ? =0时 在饱和区内有 (以增强型NMOS管为例) FET双口网络 静态值 (直流) 动态值 (交流) 非线性失真项 当,vgs 2(VGSQ-VTN)时, 其中 4.4.1 MOSFET的小信号模型 FET双口网络 纯交流 电路模型 1. ? =0时 ? gmvgs 是受控源 ,且为电压控制电流源(VCCS)。 ? 电流方向与vgs的极性是关联的。 4.4.1 MOSFET的小信号模型 FET双口网络 d、s端口看入有一电阻rds 电路模型 2. ? ? 0时 4.4.1 MOSFET的小信号模型 gm —— 低频互导 转移特性曲线Q点上切线的斜率 3. 参数的物理意义 4.4.1 MOSFET的小信号模型 3. 参数的物理意义 rds —— 输出电阻 输出特性曲线Q点上

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