陶瓷工艺学第五章解剖.pptVIP

一般烧结温度下: 在一定温度下空位浓度差是与表面张力γ成比例的，因此由扩散机理进行的烧结过程，其推动力也是表面张力。 空位扩散既可以沿颗粒表面或界面进行，也可通过 颗粒内部进行，并在颗粒表面或颗粒间界上消失。分为：表面扩散，界面扩散和体积扩散。 由于表面、界面的空位浓度梯度高、扩散距离短、扩散系数大，因此是扩散的快速通道 晶粒生长与异常长大 晶粒生长：无应变的材料热处理时，平均晶粒在不改变其分布的情况下连续增大的过程。 初次再结晶：在已发生塑性形变的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 二次再结晶：少数巨大晶粒在细晶消耗时异常长大的过程，又称晶粒异常生长、晶粒不连续生长。是大颗粒因晶界移动过快，吞并了周围一些细小晶粒，而发生的突发性长大，是以强凌弱造成颗粒大小不均匀，应尽量避免！ 晶粒生长与二次再结晶过程往往与烧结中、后期的传质过程是同时进行的。 晶粒生长 烧结中、后期，细晶粒逐渐长大：一些晶粒生长伴随另一些晶粒缩小、消失，其结果是平