PECVD培训1.pptx

centrotherm毛振乐2011.3.31目录基本原理简介工艺流程设备结构简介工艺参数优化方向基本原理工作原理 Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。可以改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射率。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。基本原理+~_基本原理工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑ 利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的电极上，利用辉光放电使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。：镀膜工艺流程1. processing started 工艺开始2. fill tube with N2 充氮3. loading boat (paddle in upper position) 进舟（桨在高位）4. paddle moves downwards 桨降至低位5. move out (paddle in lower position ) 桨在低位移出管外镀膜工艺流程6. evacuate tube and pressure test 管内抽真空并作压力测试7. plasma preclean and check with NH3 通过高频电源用氨气预清理和检查8. purge cycle 1 清洗管路19. leak test 测漏10. wait until all zones are on min temperature 恒温镀膜工艺流程11. ammonia plasma preclean 通过高频电源用氨气清理12. deposition 镀膜13. end of deposition 结束镀膜14. evacuate tube and pressure test 抽真空及测试压力15. purge cycle 1 清洗管路1镀膜工艺流程16. fill tube with N2 充氮17. move in paddle – lower position 桨在低位进入管内18. SLS moving to upper position SLS移到高位19. unloading boat 退舟20. end of process 结束工艺镀膜工艺流程设备结构设备结构设备结构 设备结构 装载区炉体特气柜真空系统控制系统设备结构设备结构：装载区： 桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。 桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防 变形等性能。作用是将石墨舟放入或 取出石英管。 LIFT： 机械臂系统，使舟在机械臂作用下在 小车、桨、储存区之间互相移动。抽风系统 : 位于晶片装载区上方，初步的冷却石 墨舟和一定程度的过滤残余气体 SLS系统： 软着陆系统，控制桨的上下，移动范 围在2—3厘米设备结构炉体：炉管、加热系统、冷却系统炉管： 炉体内有四根炉管,由石英制作，是镀膜 的作业区域，耐高温、防反应。加热系统： 位于石英管外，有五个温区。设备结构加热系统：CMS模块3电源连接外罩热电偶4温度测量模块设备结构冷却系统：设备结构特气柜：MFC气动阀 MFC：气体流量计（NH3、 SiH4 、O2 、 N2） 气动阀：之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易1 产生火花，而气动阀可以最大程度的避免火花。设备结构真空系统 真空泵 蝶阀真空泵：每一根石英管配置一组泵，包 括主泵和辅助泵。蝶阀： 可以根据要求控制阀门的开关 的大小，来调节管内气压的 高低设备结构控制系统 CMI：是 Centrotherm 研发的一个控制系统，其中 界面包括 Jobs System Datalog Setup Alarms Help. Jobs:机器的工作状态。System: 四根炉管的工作状态，舟的状态以及手动操 作机器臂的内容。Datalog: 机器运行的每一步。设备结构Setup:舟的资料的更改，工艺内容的更改，使用权 限的更 改，LIFT位置的更改，CMS安全系统（安装的感应器 将监控重要系统的运行情况，而一旦不受计算机 的控制，CMS将会发生作