2012_半导体物理_7_金属和半导体的接触-2014-05-21总汇.ppt

半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 通过势垒的电流密度 (7-22) 通过势垒的电流密度： 耗尽层近似： 2xxdx2 ： 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 通过势垒的电流密度 通过势垒的电流密度： 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 通过势垒的电流密度 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒宽度时，扩散理论显然是不适用了。 电子在势垒区的碰撞可以忽略，这时势垒的形状并不重要，起决定作用的是势垒高度。 半导体内部的电子只要有足够的能量超越势垒的顶点，就可以自由地通过阻挡层进入金属。同样，金属中能超越势垒顶的电子也都能到达半导体内。 电流的计算就归结为计算超越势垒的载流子数目。 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 以 n 型阻挡层为例进行讨论，并且假定势垒高度 –q(Vs )0 k0T ，因而通过势垒交换的电子数只占半导体总电子数很小的一部分。 半导体内的电子浓度可以视为常数，与电流无关。 根据第 3 章的讨论，半导体单位体积中能量在 E~(E+dE)范围内的电子数是 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * d=xD 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * = 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * JsT与外加电压无关，但却是一个更强烈地依赖于温度的函数。 Ge、Si、GaAs都有较高的载流子迁移率，即有较大的平均自由程，因而在室温下，这些半导体材料的肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多数载流子的热电子发射。 x 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 热电子发射理论 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管称为肖特基势垒二极管，它和pn结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性。 pn结正向导通时，由p区注入n区的空穴或由n区注入p区的电子，都是少数载流子，它们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。这种注入的非平衡载流子的积累称为电荷存储效应，它严重地影响了pn结的高频性能。 肖特基势皇二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的。它是多数载流子器件。正向导通时，从半导体中越过界面进入金属的电子并不发生积累，而是直接成为漂移电流而流走。因此，肖特基势垒二极管比pn结二极管有更好的高频特性。 对于相同的势垒高度，肖特基二极管的JsD或JST要比pn结的反向饱和电流JS大得多。换言之，对于同样的使用电流，肖特基势垒二极管具有较低的正向导通电压，一般为0.3V左右。 肖特基势垒二极管 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 肖特基势垒二极管与pn结比