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模拟电子技术期中试卷（二） 一、选择题。 （每题3分，共36分） 1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不定 2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。 A.饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态 3.共模抑制比是______之比. A．差模输入信号与共模输入信号 B．输出量中差模成分与共模成分 C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值) D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值) 4.差动放大电路的主要优点是 。 A、稳定的放大性能 B、较高的输入电阻 C、能有效地抑制零点漂移 D、有稳定地静态工作点 5.稳压管的稳压区是工作在______。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到 ______电压以前，通过的电流很小。 A．击穿 B．最大 C．短路 7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻 Ri _______。 A．R1 B．（1+β）R1 C