工程电磁场倪光正第4章动态电磁场Ⅰ：基本理论与准静态电磁场概览.ppt

电磁场的扩散方程 电磁场扩散方程的相量形式(复数形式) Ⅱ 平表面半无限大导体中的电的集肤效应、集肤深度 表征为一维场 仅为坐标 x 的函数 基本方程归结为 工程上，为表征电的趋肤效应，亦即沿导体纵深方向场量衰减的特征，定义 集肤深度 它表征了场量衰减到表面值 时所对应的距离 表示场量的相位变化，仅反映电磁场在扩散过程中的相位变化。 (1) 单根导体(汇流排)的电的趋肤效应 Ⅲ 多导体系统的电集肤效应——临近效应 (2) 二根载流导线相邻放置，电的趋肤效应如图所示，此时，载流导体内电流分布的不均匀性不仅与自身电流产生的电磁场相关，还与临近电流产生的电磁场相关，此时，电的趋肤效应称为邻近效应。 铁心叠片中的涡流 变压器铁芯叠片 薄导电平板的简化物理模型 假设： ? h a， l a ，场量 仅是 x 的函数； ? 、 位于 xoy 平面，仅有 y 方向分量，且仅是 x 的函数； ? 磁场关于 y 轴对称， ； ? 涡流损耗： 低频时 涡流的控制与利用 1. 涡流控制 2. 涡流利用 感应加热： 熔化金属、金属热处理、烘干胶合板等 金属管道的无损检测 仪表 传感器 导体的内阻抗 因导体内部时变电磁场的分布(电的趋肤效应)全然不同于恒定电磁场的分布，故相应的电路参数的计算——电阻 R 和内电感 Li (构成内阻抗Zi=R+j?Li ) 就必然有所不同 例4.4 计算图中沿电流方向单位长度( l = 1 )，单位宽度( b = 1 )的半无限大导体的内阻抗。 [解] 截取图中所示平行六面体( a d，且 a ? ? ) 在任何频率下，不透过的平表面导体 (d ? d ) 的有效电阻(交流电阻)和内电抗的值是相等的，且其值随 f ? 而 ? ，但应注意，f ?，Li 却是减小； 对于平表面导体，其 R (有效电阻)的计算，可归结为取厚度为透入深度 d 的表面层截面为导体截面 S，然后按直流电阻的计算公式，即 交流 I 在平表面导体内耗散的功率等同于一安培数的直流 I 在厚度为 d 的导体表面层中耗散的功率； 高频下，镀银线的应用 a. 防氧化； b. 降低有效电阻(显然，只要银层厚度大于工作频率下的d，则就内阻抗而言，即可视为“用银制成的实心导线”)。 非齐次亥姆霍兹方程 动态电磁场中 位于坐标原点的时变元电荷 场分布为球对称 无源空间 4.4.3 电磁位的积分解 静电场中，位于坐标原点的元电荷电位为： 由此推论，位于坐标原点时变元电荷的动态标量位为 若元电荷dq不在原点，而位于r’处，其动态标量位为 达朗贝尔方程解的形式表明：t 时刻的响应取 决于 时刻的激励源。又称 为滞后 位。 低频时，时变电磁场可以简化为准静态场。 电准静态场，简写 EQS 感应电场远小于库仑电场，可忽略 磁准静态场，简写 MQS 位移电流远小于传导电流，可忽略 解题方法： 利用静态场的方法求解出电(磁)准静态场的电(磁) 场后，再用Maxwell方程求解与之共存的磁(电)场。 4.5 准静态电磁场 4.5.1 电准静态场(EQS)和磁准静态场(MQS) 特点：电场的有源无旋性与静电场相同，称为电准静态（EQS）。 EQS 动态电磁场基本方程 MQS 特点：磁场的有旋无源性与恒定磁场相同，称为磁准静态场（MQS）。 例4.4 工频激励下的平板电容器中的电磁场。 [解] ? = 314 rad/s 讨论： 例4.5 低频交流电感线圈中的电磁场。 该线圈的内、外自感分别为 Li 和 Lo ，电阻为R [解] (1) 电感线圈中的电流场 EQS 整个线圈 线圈导体中 (2) 电感线圈的磁场 MQS ⅰ 沿最短路径 ⅱ 按电磁感应定律 ? UAmB ? UAnB ? 测量中，仪表接线必须“慎之又慎” UAmB UAnB ? 在正弦交流激励下，内阻抗 4.5.2 导电媒质中自由电荷的弛豫过程 电荷弛豫过程——自由电荷体密度 ? 随时间衰减的过程 ?0为 t = 0 时的电荷分布 ?e=?/? (秒)称为弛豫时间 1.均匀导电媒质中的电荷弛豫过程 电荷守恒定律 一阶常微分方程 2.分块均匀导电媒质中的电荷弛豫过程 时变电磁场中，位于导